Semiconductor Electronics Materials Devices and Simple Circuits (hi)

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Introduction</B></Primary>
<hr>
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Introductionary Point

- Vacuum tubes were bulky, consumed high power, operated at high voltages, had limited life and low reliability.
- Semiconductor devices are smaller, consume less power, operate at lower voltages, have longer life and higher reliability.
- Semiconductors can control the number and direction of flow of charge carriers through them.
- This is done by simple excitations like light, heat or small applied voltage.
- Semiconductors are used in many electronic devices, including computers, televisions, and cellphones.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

परिचयात्मक बिंदु

- वैक्यूम ट्यूब बड़े, उच्च शक्ति का सेवन करते थे, उच्च वोल्टेज पर काम करते थे, उनका जीवन सीमित था और विश्वसनीयता कम थी।
- सेमीकंडक्टर उपकरण छोटे होते हैं, कम शक्ति का सेवन करते हैं, कम वोल्टेज पर काम करते हैं, उनका जीवन लंबा होता है और विश्वसनीयता अधिक होती है।
- सेमीकंडक्टर उनमें होने वाले चार्ज वाहकों की संख्या और दिशा को नियंत्रित कर सकते हैं।
- यह काम प्रकाश, गर्मी या छोटी आवेदित वोल्टेज जैसे साधारण उत्तेजना द्वारा किया जाता है।
- सेमीकंडक्टर का उपयोग कई इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में किया जाता है, जिसमें कंप्यूटर, टेलीविजन, और सेलफोन शामिल हैं।
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<footer style="font-size:18px"><span style="color:blue">Introduction</span> $\rightarrow$ Classification on the basis of conductivity $\rightarrow$  Classification on the basis of energy bands </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>N-Type Semiconductor</B></Primary>
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(i) N-Type Semiconductor

- Doping silicon or germanium with a pentavalent element creates an impurity known as a **donor impurity.**
-  The presence of this impurity gives rise to free electrons known as **majority carriers**, exceeding the number of intrinsic holes known as **minority carriers**.
- N-type semiconductors have electron concentrations ($n_e$) that far exceed hole concentrations ($n_h$). This dominance of electrons leads to electrons becoming the primary charge carriers, while holes play a less significant role:

$
\boxed{n_e \gg n_h}
$

</div>
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(i) N-प्रकार का सेमीकंडक्टर

- पांचवलेंट तत्व के साथ सिलिकॉन या जर्मेनियम को डोप करने से एक अशुद्धता उत्पन्न होती है जिसे **दाता अशुद्धता** कहा जाता है।
- इस अशुद्धता की उपस्थिति से मुक्त इलेक्ट्रॉन उत्पन्न होते हैं जिन्हें **बहुसंख्यक वाहक** कहा जाता है, जो आंतरिक छिद्रों की संख्या को पार करते हैं जिन्हें **अल्पसंख्यक वाहक** कहा जाता है।
- N-प्रकार के सेमीकंडक्टर में इलेक्ट्रॉन की संख्या ($n_e$) छिद्र संख्या ($n_h$) से कहीं अधिक होती है। इलेक्ट्रॉनों की इस प्रधानता के कारण इलेक्ट्रॉन मुख्य आवेश वाहक बन जाते हैं, जबकि छिद्रों की भूमिका कम महत्वपूर्ण होती है:

$
\boxed{n_e \gg n_h}
$
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<footer style="font-size:18px">  <span style="color:blue">N-Type Semiconductor</span> $\rightarrow$ P-Type Semiconductor $\rightarrow$Definition </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P-Type Semiconductor</B></Primary>

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In a p-type semiconductor, trivalent impurities like Al, B, or In are added to silicon or germanium. These impurities have one less valence electron than silicon or germanium, creating a vacancy or "hole" in the covalent bond structure.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

पी-प्रकार के सेमीकंडक्टर में, त्रिवलेंट अशुद्धियाँ जैसे कि Al, B, या In को सिलिकॉन या जर्मेनियम में जोड़ा जाता है। ये अशुद्धियाँ सिलिकॉन या जर्मेनियम की तुलना में एक कम वेलेंस इलेक्ट्रॉन रखती हैं, जिससे कोवेलेंट बंध संरचना में एक रिक्त स्थान या "छिद्र" बनता है।
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<footer style="font-size:18px">  N-Type Semiconductor $\rightarrow$ <span style="color:blue">P-Type Semiconductor</span> $\rightarrow$Definition </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Hole Conduction</B></Primary>
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2. **Hole Conduction:** Holes act as positive charge carriers and are essential for conduction in p-type semiconductors. Electrons in neighboring atoms can jump to fill these holes, creating new holes in the process.

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2. **छिद्र चालन:** छिद्र सकारात्मक आवेश वाहक के रूप में कार्य करते हैं और पी-प्रकार के प्रवाहकों में चालन के लिए आवश्यक हैं। पड़ोसी परमाणुओं में इलेक्ट्रॉन इन छिद्रों को भरने के लिए कूद सकते हैं, इस प्रक्रिया में नए छिद्र बनाते हैं।
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<footer style="font-size:18px">  <span style="color:blue">Hole Conduction</span> $\rightarrow$ Majority and Minority Carriers $\rightarrow$ Dopant Charge $\rightarrow$ Recombination Process </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Dopant Charge</B></Primary>

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4. **Dopant Charge:** Trivalent dopant atoms become effectively negatively charged when they share an electron with neighboring semiconductor atoms. These dopant atoms, together with their associated holes, contribute to the overall charge neutrality of the crystal.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

4. **डोपेंट चार्ज:** त्रिवलेंट डोपेंट अणु तभी प्रभावी रूप से नकारात्मक आवेशित होते हैं जब वे पड़ोसी सेमीकंडक्टर अणुओं के साथ एक इलेक्ट्रॉन साझा करते हैं। ये डोपेंट अणु, साथ ही उनके संबंधित छिद्र, क्रिस्टल के समग्र चार्ज संतुलन में योगदान देते हैं।
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<footer style="font-size:18px">  Hole Conduction $\rightarrow$ Majority and Minority Carriers $\rightarrow$ <span style="color:blue">Dopant Charge</span> $\rightarrow$ Recombination Process </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Effect on Energy Band</B></Primary>

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6. **Effect on Energy Band:** The energy band structure of p-type semiconductors is modified due to the introduction of acceptor energy levels (EA) slightly above the top of the valence band.

In summary, p-type semiconductors rely on holes as the primary charge carriers and have a dopant-induced majority carrier concentration that exceeds the intrinsic carrier concentration.

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6. **ऊर्जा बैंड पर प्रभाव:** पी-प्रकार के सेमीकंडक्टर्स की ऊर्जा बैंड संरचना स्वीकारक ऊर्जा स्तरों (EA) के परिचय के कारण संशोधित होती है, जो वेलेंस बैंड के शीर्ष के थोड़े ऊपर होते हैं।

संक्षेप में, पी-प्रकार के सेमीकंडक्टर्स मुख्य रूप से छिद्रों पर निर्भर करते हैं जैसे कि प्राथमिक चार्ज वाहक और एक डोपेंट-प्रेरित बहुसंख्यक वाहक संचय होता है जो आंतरिक वाहक संचय से अधिक होता है।
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<footer style="font-size:18px"> <span style="color:blue">Effect on Energy Band</span> $\rightarrow$ P-N Junction $\rightarrow$ P N Junction Formation  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P-N Junction</B></Primary>

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A P-N junction is the basic building block of many semiconductor devices like diodes, transistors, etc. A clear understanding of the junction behaviour is important to analyse the working of other semiconductor devices. We will now try to understand how a junction is formed and how the junction behaves under the influence of external applied voltage (also called bias).

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

एक पी-एन जंक्शन डायोड, ट्रांजिस्टर आदि जैसे कई सेमीकंडक्टर उपकरणों का मूल निर्माण खंड होता है। अन्य सेमीकंडक्टर उपकरणों के कामकाज का विश्लेषण करने के लिए जंक्शन व्यवहार की स्पष्ट समझ आवश्यक है। हम अब यह समझने की कोशिश करेंगे कि एक जंक्शन कैसे बनता है और जंक्शन बाहरी लागू वोल्टेज (जिसे बायस भी कहा जाता है) के प्रभाव के तहत कैसे व्यवहार करता है।
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<footer style="font-size:18px"> Effect on Energy Band $\rightarrow$ <span style="color:blue">P-N Junction</span> $\rightarrow$ P N Junction Formation  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P N Junction Formation</B></Primary>

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**Diffusion and drift:**

- In n-type semiconductor, concentration of electrons is more compared to holes.
- In p-type semiconductor, concentration of holes is more than electrons.
- Due to concentration gradient, holes diffuse from p-side to n-side and electrons diffuse from n-side to p-side.
- This motion of charge carriers gives rise to diffusion current.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**प्रसार और ड्रिफ्ट:**

- n-प्रकार के सेमीकंडक्टर में, इलेक्ट्रॉनों की संख्या छिद्रों की तुलना में अधिक होती है।
- p-प्रकार के सेमीकंडक्टर में, छिद्रों की संख्या इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक होती है।
- संवेदनशीलता ढलान के कारण, छिद्र p-पक्ष से n-पक्ष की ओर और इलेक्ट्रॉन n-पक्ष से p-पक्ष की ओर प्रसारित होते हैं।
- इस प्रकार के आवेश वाहकों की गति से प्रसार धारा उत्पन्न होती है।
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<footer style="font-size:18px"> Effect on Energy Band $\rightarrow$ P-N Junction $\rightarrow$ <span style="color:blue">P N Junction Formation</span>  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P N Junction Formation</B></Primary>

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**Semiconductor Diode:**

- A semiconductor diode is simply a P-N junction.
- When connected to suitable battery , diode acts as one way device 
- current easily flows when positive terminal to P type semiconductors.
- Current does not flow easily , rather oppose  , reverse battery connection or P material connected to P or N to negative .

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**Semiconductor Diode:**

- एक सेमीकंडक्टर डायोड सीधे एक P-N जंक्शन है।
- उपयुक्त बैटरी से जुड़े होने पर, डायोड एक तरह की डिवाइस के रूप में कार्य करता है।
- धारा सकारात्मक टर्मिनल से P प्रकार के सेमीकंडक्टर्स को आसानी से बहती है।
- धारा आसानी से नहीं बहती है, बल्कि विपरीत, बैटरी कनेक्शन को उलटा देती है या P सामग्री को P या N के लिए नकारात्मक से जोड़ती है।
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<footer style="font-size:18px"> Effect on Energy Band $\rightarrow$ P-N Junction $\rightarrow$ <span style="color:blue">P N Junction Formation</span>  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P N Junction Diode Under Forward Bias</B></Primary>

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A P-N diode is said to be forward biased when an external voltage is applied across it such that the p-side is connected to the positive terminal of the battery and the n-side to the negative terminal.

The applied voltage mostly drops across the depletion region and the voltage drop across the p-side and n-side of the junction is negligible. The direction of the applied voltage (V) is opposite to the built-in potential $V_{0}$. As a result, the depletion layer width decreases and the barrier height is reduced.

The effective barrier height under forward bias is ($V_{0}$-V). If the applied voltage is small, the barrier potential will be reduced only slightly below the equilibrium value, and only a small number of carriers in the material-those happen to be in the uppermost energy levels-will possess energy to cross the junction. So, the current will be small.

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एक P-N डायोड कहा जाता है कि यह फॉरवर्ड बायस होता है जब एक बाहरी वोल्टेज इस पर लागू किया जाता है ताकि p-साइड को बैटरी के सकारात्मक टर्मिनल से और n-साइड को नकारात्मक टर्मिनल से जोड़ा जाता है।

लागू वोल्टेज अधिकांशतः डिप्लीशन क्षेत्र में गिरता है और जंक्शन के p-साइड और n-साइड पर वोल्टेज ड्रॉप नगण्य होता है। लागू वोल्टेज (V) की दिशा बिल्ट-इन पोटेंशियल $V_{0}$ के विपरीत होती है। परिणामस्वरूप, डिप्लीशन परत की चौड़ाई कम हो जाती है और बैरियर की ऊंचाई कम हो जाती है।

फॉरवर्ड बायस के तहत प्रभावी बैरियर की ऊंचाई ($V_{0}$-V) होती है। यदि लागू वोल्टेज छोटा है, तो बैरियर पोटेंशियल केवल संतुलन मूल्य के थोड़े से नीचे कम होगा, और सामग्री में केवल कुछ ही कैरियर-जो ऊपरी ऊर्जा स्तरों में होते हैं-जंक्शन को पार करने के लिए ऊर्जा प्राप्त करेंगे। इसलिए, धारा छोटी होगी।
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<footer style="font-size:18px"> <span style="color:blue">P N Junction Diode Under Forward Bias</span> $\rightarrow$ Summary $\rightarrow$ Points To Ponder </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P N Junction Diode Under Forward Bias</B></Primary>

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<main>

If we increase the applied voltage significantly, the barrier height will be reduced and more number of carries will have the required energy. Thus, the current increases.

Due to the applied voltage, electrons from n-side cross the depletion region and reach p-side (where they are minority carriers). Similarly, holes from p-side cross the function and reach the n-side (where they are minority carriers).

This process under forward bias is known as minority carrier injection. At the junction boundary, on each side, the minority carrier concentration increases significantly compared to the locations far from the function.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

यदि हम लागू वोल्टेज को काफी बढ़ाते हैं, तो बैरियर की ऊंचाई कम हो जाएगी और अधिक संख्या में कैरियर्स को आवश्यक ऊर्जा मिलेगी। इस प्रकार, धारा बढ़ जाती है।

लागू वोल्टेज के कारण, इलेक्ट्रॉन n-साइड से क्रॉस करते हैं और डिप्लीशन क्षेत्र को पार करके p-साइड पहुंचते हैं (जहां वे अल्पसंख्यक वाहक होते हैं)। इसी प्रकार, छिद्र p-साइड से क्रॉस करते हैं और कार्य को पार करके n-साइड पहुंचते हैं (जहां वे अल्पसंख्यक वाहक होते हैं)।

इस प्रक्रिया को फॉरवर्ड बायस के तहत अल्पसंख्यक वाहक इंजेक्शन कहा जाता है। संयोग सीमा पर, प्रत्येक पक्ष पर, अल्पसंख्यक वाहक की संख्या काफी बढ़ जाती है जबकि कार्य से दूर स्थित स्थानों की तुलना में।
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<footer style="font-size:18px"> <span style="color:blue">P N Junction Diode Under Forward Bias</span> $\rightarrow$ Summary $\rightarrow$ Points To Ponder   </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>P N Junction Diode Under Forward Bias</B></Primary>

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Due to this concentration gradient, the injected electrons on p-side diffuse from the junction edge of p-side to the other end of p-side. Likewise, the injected holes on n-side diffuse from the junction edge of n-side to the other end of n-side. This motion of charged carriers on either side gives rise to current.

The total diode forward current is the sum of hole diffusion current and conventional current due to electron diffusion. The magnitude of the current is usually in mA.

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<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

इस संघनन ढलान के कारण, p-पक्ष पर इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन p-पक्ष के जंक्शन किनारे से p-पक्ष के दूसरे सिरे तक विसर्जित होते हैं। इसी तरह, n-पक्ष पर इंजेक्ट किए गए छिद्र n-पक्ष के जंक्शन किनारे से n-पक्ष के दूसरे सिरे तक विसर्जित होते हैं। इस प्रकार के चार्ज वाहकों की गति दोनों पक्षों पर धारा को उत्पन्न करती है।

डायोड की कुल आगे की धारा छिद्र विसर्जन धारा और इलेक्ट्रॉन विसर्जन के कारण सामान्य धारा का योग होती है। धारा की मात्रा आमतौर पर mA में होती है।
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<footer style="font-size:18px"> <span style="color:blue">P N Junction Diode Under Forward Bias</span> $\rightarrow$ Summary $\rightarrow$ Points To Ponder </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B> Summary </B></Primary>

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**Semiconductors:**

- Basic materials used in solid-state electronic devices (diodes, transistors, ICs, etc.).
- Lattice structure and atomic structure determine whether a material is an insulator, metal, or semiconductor.
- Resistivity: metals (low), insulators (high), semiconductors (intermediate).

**Types of Semiconductors:**

- Elemental (Si, Ge) and compound (GaAs, CdS, etc.).
- Intrinsic: pure semiconductors with equal numbers of electrons ($n_{e}$) and holes ($n_{h}$) due to thermal excitation.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**सेमीकंडक्टर:**

- ठोस अवस्था के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों (डायोड, ट्रांजिस्टर, ICs, आदि) में प्रयुक्त मूल सामग्री।
- लैटिस संरचना और परमाणु संरचना निर्धारित करती है कि कोई सामग्री एक इन्सुलेटर, धातु, या सेमीकंडक्टर है।
- प्रतिरोधकता: धातुओं (निम्न), इन्सुलेटर्स (उच्च), सेमीकंडक्टर्स (मध्यवर्ती)।

**सेमीकंडक्टर के प्रकार:**

- तत्वीय (Si, Ge) और यौगिक (GaAs, CdS, आदि)।
- आंतरिक: तापीय उत्तेजना के कारण इलेक्ट्रॉन ($n_{e}$) और छिद्र ($n_{h}$) की समान संख्या वाले शुद्ध सेमीकंडक्टर।
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<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ <span style="color:blue">Summary</span> $\rightarrow$ Points To Ponder   </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B> Summary </B></Primary>

<hr>

<main>

**Extrinsic Semiconductors:**

- Doping with suitable impurities changes the number of charge carriers.
- n-type: $n_{e}$ >> $n_{h}$ (by adding pentavalent donors like As, Sb, P).
- p-type: $n_{h}$ >> $n_{e}$ (by adding trivalent acceptors like B, Al, In).

**Key Properties:**

- $n_{e}$ x $n_{h}$ = $ni^{2}$ (for all semiconductors).   
- Two energy bands: valence band (lower energy) and conduction band (higher energy).
- Electrons in the conduction band are responsible for conductivity.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**बाह्य सेमीकंडक्टर:**

- उपयुक्त अशुद्धियों के साथ डोपिंग से चार्ज वाहकों की संख्या में परिवर्तन होता है।
- n-प्रकार: $n_{e}$ >> $n_{h}$ (As, Sb, P जैसे पेंटावेलेंट दाताओं को जोड़कर)।
- p-प्रकार: $n_{h}$ >> $n_{e}$ (B, Al, In जैसे त्रिवेलेंट स्वीकारकों को जोड़कर)।

**मुख्य गुण:**

- $n_{e}$ x $n_{h}$ = $ni^{2}$ (सभी सेमीकंडक्टरों के लिए)।   
- दो ऊर्जा बैंड: वैलेंस बैंड (निम्न ऊर्जा) और कन्डक्शन बैंड (उच्च ऊर्जा)।
- कन्डक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉन संचालन के लिए जिम्मेदार होते हैं।
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<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ <span style="color:blue">Summary</span> $\rightarrow$ Points To Ponder  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B> Summary </B></Primary>

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**Energy Gap:**

- Eg: energy gap between the top of the valence band (EV) and the bottom of the conduction band (EC).
- Eg > 3 eV for insulators, Eg 0.2 eV to 3 eV for semiconductors, Eg ≈ 0 for metals.

**P-N Junction:**

- Key to all semiconductor devices.
- Depletion layer: region of immobile ion-cores without electrons or holes.
- Junction potential barrier.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**ऊर्जा अंतर:**

- Eg: मूल्यमान बैंड (EV) के शीर्ष और चालक बैंड (EC) के निचले हिस्से के बीच ऊर्जा अंतर।
- Eg > 3 eV अवरोधकों के लिए, Eg 0.2 eV से 3 eV परिप्रेक्ष्यकों के लिए, Eg ≈ 0 धातुओं के लिए।

**P-N संधि:**

- सभी परिप्रेक्ष्य उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण।
- निर्वासन परत: इलेक्ट्रॉन या छिद्रों के बिना स्थिर आयन-कोर का क्षेत्र।
- संधि संभाव्य बाधा।
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</main>

<hr>

<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ <span style="color:blue">Summary</span> $\rightarrow$ Points To Ponder   </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B> Summary </B></Primary>

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<main>

**Junction Bias:**

- Forward bias (n-side negative, p-side positive): decreased barrier, higher current (mA).
- Reverse bias (n-side positive, p-side negative): increased barrier, lower current (μA).

**Diode Applications:**

- Rectifying ac voltage (restricting to one direction).
- Obtaining DC voltage using a capacitor or filter.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

**जंक्शन बायास:**

- फॉरवर्ड बायास (n-साइड नकारात्मक, p-साइड सकारात्मक): घटती हुई बाधा, अधिक धारा (mA).
- रिवर्स बायास (n-साइड सकारात्मक, p-साइड नकारात्मक): बढ़ती हुई बाधा, कम धारा (μA).

**डायोड अनुप्रयोग:**

- एसी वोल्टेज को रेक्टिफाई करना (एक दिशा में सीमित करना).
- कैपेसिटर या फ़िल्टर का उपयोग करके डीसी वोल्टेज प्राप्त करना।
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</main>

<hr>

<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ <span style="color:blue">Summary</span> $\rightarrow$ Points To Ponder  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Points To Ponder</B></Primary>

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The energy bands ( $E_{C}$ or $E_{V}$ ) in the semiconductors are space delocalised which means that these are not located in any specific place inside the solid. The energies are the overall averages. When you see a picture in which $E_{C}$ or $E_{V}$ are drawn as straight lines, then they should be respectively taken simply as the bottom of conduction band energy levels and top of valence band energy levels.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

सेमीकंडक्टर्स में ऊर्जा बैंड ( $E_{C}$ या $E_{V}$ ) स्थानीय रूप से विस्थापित होते हैं, जिसका अर्थ है कि ये ठोस के अंदर किसी विशेष स्थान पर स्थित नहीं होते। ऊर्जाएं समग्र औसत होती हैं। जब आप एक चित्र देखते हैं जिसमें $E_{C}$ या $E_{V}$ को सीधी रेखाओं के रूप में खींचा गया होता है, तो उन्हें क्रमशः चालन बैंड ऊर्जा स्तरों के निचले और वैलेंस बैंड ऊर्जा स्तरों के शीर्ष के रूप में लिया जाना चाहिए।
</div>

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<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ Summary $\rightarrow$ <span style="color:blue">Points To Ponder</span>  </footer>

<Success style= "font-size:25px ; text-align:center"><B>SEMICONDUCTOR </B></Success>
<Primary style="font-size:28px; text-align:center"><B>Points To Ponder </B></Primary>

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<main>

In elemental semiconductors ( ${Si}$ or ${Ge}$ ), the n-type or p-type semiconductors are obtained by introducing 'dopants' as defects. In compound semiconductors, the change in relative stoichiometric ratio can also change the type of semiconductor. For example, in ideal GaAs the ratio of Ga:As is 1:1 but in Ga-rich or As-rich GaAs it could respectively be Ga<sub>1.1</sub> As<sub>0.9</sub>  or  Ga<sub>0.9</sub> As<sub>1.1</sub>. In general, the presence of defects control the properties of semiconductors in many ways.

</div>
<div  style='float: right; width:45%; text-align: left;font-size:21px'>

मौलिक सेमीकंडक्टर्स ( ${Si}$ या ${Ge}$ ) में, n-प्रकार या p-प्रकार के सेमीकंडक्टर्स को 'डोपेंट्स' के रूप में दोष प्रविष्ट करके प्राप्त किया जाता है। यौगिक सेमीकंडक्टर्स में, सापेक्ष स्टोइकियोमेट्रिक अनुपात में परिवर्तन भी सेमीकंडक्टर के प्रकार को बदल सकता है। उदाहरण के लिए, आदर्श GaAs में Ga:As का अनुपात 1:1 होता है लेकिन Ga-समृद्ध या As-समृद्ध GaAs में यह क्रमशः Ga<sub>1.1</sub> As<sub>0.9</sub>  या  Ga<sub>0.9</sub> As<sub>1.1</sub> हो सकता है। सामान्यतः, दोषों की उपस्थिति सेमीकंडक्टर्स की गुणवत्ताओं को कई तरीकों से नियंत्रित करती है।
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</main>

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<footer style="font-size:18px"> P N Junction Diode Under Forward Bias $\rightarrow$ Summary $\rightarrow$ <span style="color:blue">Points To Ponder</span>  </footer>