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Topics: Electric current, flow of electric charges in a metallic conductor and Ohm’s Law
विषय: विद्युत धारा, धात्विक चालक में विद्युत आवेश का प्रवाह और ओम का नियम
Electric current is defined as the flow of charges.
In a given time interval ttt, if q+q_{+}q+ is the net positive charge and q−q_{-}q− is the net negative charge flowing across an area, then the net charge flow is
q=q+−q−q = q_{+}- q_{-}q=q+−q−
I=qtI = \frac{q}{t}I=tq, where III is the current.
विद्युत धारा को आवेशों के प्रवाह के रूप में परिभाषित किया गया है।
किसी दिए गए समय अंतराल ttt में, यदि q+q_{+}q+ नेट धनात्मक आवेश है और q−q_{-}q− किसी क्षेत्र में प्रवाहित होने वाला नेट ऋणात्मक आवेश है, तो नेट आवेश प्रवाह है
I=qtI = \frac{q}{t}I=tq, जहां III धारा है।
I(t)=limΔt→0ΔQΔtI(t) = \lim_{\Delta t \rightarrow 0} \frac{\Delta Q}{\Delta t}I(t)=limΔt→0ΔtΔQ
where, ΔQ\Delta QΔQ is the net charge flowing in a time interval Δt\Delta tΔt.
जहां, ΔQ\Delta QΔQ एक समय अंतराल Δt\Delta tΔt में बहने वाला नेट चार्ज है।
1A=1C1s1A=\frac{1C}{1s}1A=1s1C
Lightning is a natural phenomenon where charges flow from clouds to the earth, carrying currents of tens of thousands of amperes.
In everyday devices like torches and clocks, charges flow in a steady manner, typically in the order of amperes.
Currents in our nerves are much smaller, in the order of microamperes.
बिजली गिरना एक प्राकृतिक घटना है जिसमें बादलों से पृथ्वी की ओर हजारों एम्पीयर की विद्युत धारा प्रवाहित होती है।
टॉर्च और घड़ियों जैसे रोजमर्रा के उपकरणों में, चार्ज स्थिर तरीके से प्रवाहित होते हैं, आमतौर पर एम्पीयर के क्रम में।
हमारी तंत्रिकाओं में धाराएँ माइक्रोएम्पीयर के क्रम में होती हैं।
In conductors, such as metals, some electrons are free to move within the bulk material.
In solid conductors, current is carried by negatively charged electrons moving against a background of fixed positive ions.
In electrolytic solutions, both positive and negative charges can move, contributing to the current.
धातुओं जैसे कंडक्टरों में, कुछ इलेक्ट्रॉन स्थूल सामग्री के भीतर घूमने के लिए स्वतंत्र होते हैं।
ठोस चालकों में, स्थिर धनात्मक आयनों की पृष्ठभूमि के विरुद्ध गतिमान ऋणात्मक आवेशित इलेक्ट्रॉनों द्वारा धारा प्रवाहित होती है।
इलेक्ट्रोलाइटिक विलियन में, धनात्मक और नकारात्मक दोनों चार्ज मौज़ूद हो सकते हैं, जो करंट में योगदान करते हैं।
Without an electric field, electrons move due to thermal motion but with no preferential direction, resulting in no net electric current.
When an electric field is applied, electrons are accelerated towards the positive charge, creating an electric current.
विद्युत क्षेत्र के बिना, इलेक्ट्रॉन तापीय गति के कारण चलते हैं लेकिन बिना किसी अधिमान्य दिशा के, जिसके परिणामस्वरूप कोई नेट विद्युत प्रवाह नहीं होता है।
जब कोई विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन धनात्मक आवेश की ओर त्वरित हो जाते हैं, जिससे विद्युत धारा उत्पन्न होती है।
A transient current occurs when a conductor is initially exposed to an electric field, as electrons move to neutralize the charges.
A steady electric current can be maintained by continuously supplying fresh charges to the ends of the conductor, typically achieved using cells or batteries.
एक क्षणिक धारा तब उत्पन्न होती है जब एक कंडक्टर शुरू में विद्युत क्षेत्र के संपर्क में आता है, क्योंकि इलेक्ट्रॉन आवेशों को बेअसर करने के लिए आगे बढ़ते हैं।
कंडक्टर के सिरों पर लगातार नए चार्ज की आपूर्ति करके एक स्थिर विद्युत प्रवाह बनाए रखा जा सकता है, जो आमतौर पर सेल या बैटरी का उपयोग करके प्राप्त किया जाता है।
V∝IV \propto IV∝I or V=RIV = RIV=RI, where R is the resistance of the conductor
V∝IV \propto IV∝I या V=RIV = RIV=RI, जहां R कंडक्टर का प्रतिरोध है
Resistance is directly proportional to the length of the conductor (R∝lR \propto lR∝l).
Resistance is inversely proportional to the cross-sectional area of the conductor (R∝1A)(R \propto \frac{1}{A})(R∝A1).
Combining the above, R∝lAR \propto \frac{l}{A}R∝Al or R=ρlAR = \rho \frac{l}{A}R=ρAl
where, ρ\rhoρ is the resistivity of the material.
प्रतिरोध सीधे कंडक्टर की लंबाई (R∝lR \propto lR∝l) के समानुपाती होता है।
प्रतिरोध कंडक्टर के क्रॉस-अनुभागीय क्षेत्र के व्युत्क्रमानुपाती होता है (R∝1A)(R \propto \frac{1}{A})(R∝A1).
उपरोक्त को मिलाकर, R∝lAR\propto\frac{l}{A}R∝Al या R=ρlAR = \rho\frac{l}{A}R=ρAl
जहां, ρ\rhoρ सामग्री की प्रतिरोधकता है।
R=ρlAR = \rho \frac{l}{A}R=ρAl.
V=I×R=IρlAV = I \times R = \frac{I \rho l}{A}V=I×R=AIρl
V=I×R=IρlAV = I\times R = \frac{I\rho l}{A}V=I×R=AIρl
Topics: Drift velocity, Drift of electrons and the origin of resistivity
विषय: अपवाह वेग, इलेक्ट्रॉनों का बहाव और प्रतिरोधकता की उत्पत्ति
j=IAj = \frac{I}{A}j=AI
A/m2\mathrm{A/m}^2A/m2
Current Density (j) →\rightarrow→ Relation between Electric Field and Current Density →\rightarrow→ Drift Velocity →\rightarrow→ Derivation of Ohm’s Law using drift velocity →\rightarrow→ Ohm’s Law in different form
V=I×R=IρlA\scriptsize{V = I \times R = \frac{I \rho l}{A}}V=I×R=AIρl
Vl=IρA\scriptsize{\frac{V}{l} = \frac{I \rho}{A}}lV=AIρ
( Since, V=El\scriptsize{V=El}V=El )
E=jρ\scriptsize{E = j \rho}E=jρ
Vector form of current density
E=jρ\scriptsize{\mathbf{E} = \mathbf{j} \rho}E=jρ \ or \ j=1ρE\scriptsize{\mathbf{j} = \frac{1}{\rho} \mathbf{E}}j=ρ1E
j=σE\scriptsize{\mathbf{j} = \sigma \mathbf{E}}j=σE
V=I×R=IρlA\scriptsize{V = I\times R=\frac{I\rho l}{A}}V=I×R=AIρl
Vl=IρA\scriptsize{\frac{V}{l} = \frac{I\rho}{A}}lV=AIρ
(चूँकि, V=El\scriptsize{V=El}V=El )
E=jρ\scriptsize{E=j\rho}E=jρ
धारा घनत्व का वेक्टर रूप
Electrons collide with fixed ions and emerge with the same speed but in random directions.
The average velocity of all electrons is zero: 1N∑i=1Nvi=0\scriptsize{\frac{1}{N} \sum_{i=1}^N \mathbf{v}_i=0}N1i=1∑Nvi=0
In the presence of an electric field, electrons are accelerated: a=−eEm\scriptsize{\mathbf{a}=\frac{-e \mathbf{E}}{m}}a=m−eE
इलेक्ट्रॉन स्थिर आयनों से टकराते हैं और समान गति से लेकिन यादृच्छिक दिशाओं में निकलते हैं।
सभी इलेक्ट्रॉनों का औसत वेग शून्य है: 1N∑i=1Nvi=0\scriptsize{\frac{1}{N}\sum_{i=1}^N \mathbf{v}_i=0}N1i=1∑Nvi=0
विद्युत क्षेत्र की उपस्थिति में, इलेक्ट्रॉन त्वरित होते हैं: a=−eEm\scriptsize{\mathbf{a}=\frac{-e \mathbf{E}}{m}}a=m−eE
Let tit_iti be the time elapsed after its last collision. If vi\mathbf{v}_ivi was its velocity immediately after the last collision
Velocity of the ithi^{\text{th}}ith electron at time ttt Vi=vi+−eEmti\mathbf{V}_i=\mathbf{v}_i+\frac{-e \mathbf{E}}{m} t_iVi=vi+m−eEti
Average time between successive collisions is denoted by τ\tauτ (relaxation time).
मान लीजिए tit_iti इसकी अंतिम टक्कर के बाद बीता हुआ समय है। यदि अंतिम टक्कर के तुरंत बाद vi\mathbf{v}_ivi इसका वेग था
समय ttt पर ithi^{\text{th}}ith इलेक्ट्रॉन का वेग Vi=vi+−eEmti\mathbf{V}_i=\mathbf{v}_i+\frac{-e \mathbf{E}}{m}t_iVi=vi+m−eEti
क्रमिक टकरावों के बीच का औसत समय τ\tauτ (विश्राम समय) द्वारा दर्शाया जाता है।
vd≡(Vi)average =(vi)average −eEm(ti)average =0−eEmτ=−eEmτ\scriptsize{\begin{aligned} & \mathbf{v}_d \equiv\left(\mathbf{V}_i\right)_{\text {average }}=\left(\mathbf{v}_i\right)_{\text {average }}-\frac{e \mathbf{E}}{m}\left(t_i\right)_{\text {average }} \\ & =0-\frac{e \mathbf{E}}{m} \tau=-\frac{e \mathbf{E}}{m} \tau\end{aligned}}vd≡(Vi)average =(vi)average −meE(ti)average =0−meEτ=−meEτ
where,
τ\tauτ is the average time between collisions
eee is the charge of an electron
mmm is the mass of an electron
कहाँ,
τ\tauτ टकरावों के बीच का औसत समय है
eee एक इलेक्ट्रॉन का आवेश है
mmm एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है
In the presence of an electric field E\mathbf{E}E, electrons drift and cause a net transport of charges across any area perpendicular to E\mathbf{E}E.
If AAA is the area and nnn is the number of free electrons per unit volume, then the total charge transported across area AAA in time Δt\Delta tΔt is
Δq=−neA∣vd∣Δt\Delta q = -n e A\left|v_d\right| \Delta tΔq=−neA∣vd∣Δt
विद्युत क्षेत्र E\mathbf{E}E की उपस्थिति में, इलेक्ट्रॉन बहाव करते हैं और E\mathbf{E}E के लंबवत किसी भी क्षेत्र में आवेशों के मुक्त परिवहन का कारण बनते हैं।
यदि AAA क्षेत्र है और nnn प्रति इकाई आयतन में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या है, तो समय Δt\Delta tΔt में क्षेत्र AAA में स्थानांतरित किया गया कुल चार्ज है
Let Δq=IΔt\Delta q = I \Delta tΔq=IΔt
IΔt=+neA∣vd∣ΔtI \Delta t = +n e A\left|v_d\right| \Delta tIΔt=+neA∣vd∣Δt
I=+neA∣vd∣I = +n e A\left|v_d\right|I=+neA∣vd∣
The current density j\mathbf{j}j is defined by I=∣j∣AI = |\mathbf{j}| AI=∣j∣A
∣j∣=ne2mτ∣E∣|\mathbf{j}| = \frac{n e^2}{m} \tau|\mathbf{E}|∣j∣=mne2τ∣E∣
j=ne2mτE\mathbf{j} = \frac{n e^2}{m} \tau \mathbf{E}j=mne2τE
मान लीजिए Δq=IΔt\Delta q = I \Delta tΔq=IΔt
I=+nऔरA∣vd∣I = +n और A\left|v_d\right|I=+nऔरA∣vd∣
धारा घनत्व j\mathbf{j}j को I=∣j∣I = |\mathbf{j}|I=∣j∣ द्वारा परिभाषित किया गया है।
is equivalent to Ohm’s law
j=σE\mathbf{j} = \sigma \mathbf{E}j=σE
if we identify the conductivity σ\sigmaσ as σ=ne2mτ\sigma = \frac{n e^2}{m} \tauσ=mne2τ
ओम के नियम के समतुल्य है
j=σE\mathbf{j} = \sigma\mathbf{E}j=σE
यदि हम चालकता σ\sigmaσ को σ=ne2mτ\sigma = \frac{n e^2}{m}\tauσ=mne2τ के रूप में पहचानते हैं
Current Density (j) →\rightarrow→ Relation between Electric Field and Current Density →\rightarrow→ Drift Velocity →\rightarrow→ Derivation of Ohm’s Law using drift velocity →\rightarrow→ Ohm’s Law in different form →\rightarrow→
Topics: Mobility, Limitations Of Ohm’s Law,
Resistivity of various materials,
Temperature Dependence of Resistivity
विषय: गतिशीलता, ओम के नियम की सीमाएँ,
विभिन्न पदार्थ की प्रतिरोधकता,
प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता
μ=∣vd∣E\scriptsize{ \mu=\frac{\left|\mathbf{v}_d\right|}{E}} μ=E∣vd∣
The SI unit of mobility is m2/Vs\scriptsize{\mathrm{m}^2 / \mathrm{Vs}}m2/Vs. Mobility is positive.
Since, vd=eτEm\scriptsize{v_d=\frac{e \tau E}{m}}vd=meτE
Therefore, μ=vdE=eτm\scriptsize{ \mu=\frac{v_d}{E}=\frac{e \tau}{m}} μ=Evd=meτ
where τ\tauτ is the average collision time for electrons.
गतिशीलता की SI इकाई m2/Vs\scriptsize{\mathrm{m}^2 / \mathrm{Vs}}m2/Vs है। गतिशीलता धनात्मक है.
चूँकि, vd=eτEm\scriptsize{v_d=\frac{e \tau E}{m}}vd=meτE
इसलिए, μ=vdE=eτm\scriptsize{ \mu=\frac{v_d}{E}=\frac{e \tau}{m}} μ=Evd=meτ
जहां τ\tauτ इलेक्ट्रॉनों के लिए औसत टकराव का समय है।
Mobility →\rightarrow→ Limitations of Ohm’s Law →\rightarrow→ Resistivity of various materials →\rightarrow→ Temperature Dependence of Resistivity
There do exist materials and devices used in electric circuits where the proportionality of VVV and III does not hold.
VVV ceases to be proportional to III.
Relation between VVV and III depends on the sign of VVV. This happens, for example, in a diode.
The relation between VVV and III is not unique, i.e., there is more than one value of VVV for the same current III. For example GaAs.
इलेक्ट्रिक सर्किट में ऐसी सामग्रियां और उपकरण भी उपयोग किए जाते हैं जहां VVV और III की आनुपातिकता नहीं होती है।
VVV III के समानुपाती होना बंद कर देता है।
VVV और III के बीच का संबंध VVV के चिह्न पर निर्भर करता है। उदाहरण के लिए, डायोड में ऐसा होता है।
VVV और III के बीच संबंध अद्वितीय नहीं है, यानी, समान वर्तमान III के लिए VVV के एक से अधिक मान हैं। उदाहरण के लिए GaAs.
Conductors: Metals have low resistivities in the range of 10−8Ωm10^{-8} \Omega \mathrm{m}10−8Ωm to 10−6Ωm10^{-6} \Omega \mathrm{m}10−6Ωm.
Insulators: Materials like ceramic, rubber, and plastics have resistivities 101810^{18}1018 times greater than metals or more.
Semiconductors:
Resistivities characteristically decrease with a rise in temperature.
Resistivities can be decreased by adding small amounts of suitable impurities.
कंडक्टर: धातुओं की प्रतिरोधकता 10−8Ωm10^{-8}\Omega\mathrm{m}10−8Ωm से 10−6Ωm10^{-6}\Omega\mathrm{m}10−6Ωm की सीमा में होती है।
इन्सुलेटर्स: सिरेमिक, रबर और प्लास्टिक जैसी पदार्थ की प्रतिरोधकता धातुओं की तुलना में 101810^{18}1018 गुना अधिक होती है।
अर्धचालक:
तापमान में वृद्धि के साथ प्रतिरोधकता विशेष रूप से कम हो जाती है।
थोड़ी मात्रा में उपयुक्त अशुद्धियाँ मिलाकर प्रतिरोधकता को कम किया जा सकता है।
Over a limited range of temperatures, the resistivity of a metallic conductor is given by: ρT=ρ0[1+α(T−T0)]\scriptsize{ \rho_{\mathrm{T}}=\rho_0\left[1+\alpha\left(T-T_0\right)\right]} ρT=ρ0[1+α(T−T0)]
ρT=\scriptsize{\rho_{\mathrm{T}}=}ρT= resistivity at temperature T\scriptsize{T}T.
ρ0=\scriptsize{\rho_0=}ρ0= resistivity at a reference temperature T0\scriptsize{T_0}T0.
α=\scriptsize{\alpha=}α= temperature coefficient of resistivity (+ve for metals).
The relation implies a linear graph of ρT\scriptsize{\rho_{\mathrm{T}}}ρT against T\scriptsize{T}T over a limited range.
तापमान की एक सीमित सीमा पर, धातु कंडक्टर की प्रतिरोधकता इस प्रकार दी जाती है: ρT=ρ0[1+α(T−T0)]\scriptsize{ \rho_{\mathrm{T}}=\rho_0\left[1+\alpha\left(T-T_0\right)\right]} ρT=ρ0[1+α(T−T0)]
ρT=\scriptsize{\rho_{\mathrm{T}}=}ρT= तापमान पर प्रतिरोधकता T\scriptsize{T}T।
ρ0=\scriptsize{\rho_0=}ρ0= एक संदर्भ तापमान पर प्रतिरोधकता T0\scriptsize{T_0}T0।
α=\scriptsize{\alpha=}α= प्रतिरोधकता का तापमान गुणांक (धातुओं के लिए +ve)।
यह संबंध एक सीमित सीमा पर T\scriptsize{T}T के विरुद्ध ρT\scriptsize{\rho_{\mathrm{T}}}ρT का एक रैखिक ग्राफ दर्शाता है।
Special Materials: Metal Alloys
Nichrome, manganin, and constantan exhibit a very weak dependence of resistivity with temperature.
These materials are used in wire bound standard resistors since their resistance values change very little with temperature.
Resistivities of semiconductors decrease with increasing temperatures.
विशेष सामग्री: धातु मिश्र धातु
नाइक्रोम, मैंगनीज और कॉन्स्टेंटन तापमान के साथ प्रतिरोधकता की बहुत कमजोर निर्भरता प्रदर्शित करते हैं।
इन पदार्थ का उपयोग तार से बंधे मानक प्रतिरोधों में किया जाता है क्योंकि उनके प्रतिरोध मान तापमान के साथ बहुत कम बदलते हैं।
बढ़ते तापमान के साथ अर्धचालकों की प्रतिरोधकता कम हो जाती है।
ρ=1σ=mne2τ\scriptsize{\rho=\frac{1}{\sigma}=\frac{m}{n e^2 \tau}}ρ=σ1=ne2τm
ρ∝1nτ\scriptsize{\rho \propto \frac{1}{n \tau}}ρ∝nτ1
As T increases, the average speed of electrons increases, resulting in more frequent collisions and a decrease in τ\tauτ.
In metals, nnn do not dependent on T, so the decrease in τ\tauτ with rising temperature causes ρ\rhoρ to increase.
In insulators and semiconductors, nnn increases with T, which more than compensates for any decrease in τ\tauτ, leading to a decrease in ρ\rhoρ with temperature.
ρ∝1nτ\scriptsize{\rho\propto\frac{1}{n\tau}}ρ∝nτ1
जैसे-जैसे T बढ़ता है, इलेक्ट्रॉनों की औसत गति बढ़ती है, जिसके परिणामस्वरूप अधिक बार टकराव होता है और τ\tauτ में कमी आती है।
धातुओं में, nnn, T पर निर्भर नहीं करता है, इसलिए बढ़ते तापमान के साथ τ\tauτ में कमी के कारण ρ\rhoρ में वृद्धि होती है।
इंसुलेटर और सेमीकंडक्टर में, nnn, T के साथ बढ़ता है, जो τ\tauτ में किसी भी कमी की भरपाई से कहीं अधिक है, जिससे तापमान के साथ ρ\rhoρ में कमी आती है।
Topics: Application of Temperature Dependence of Resistivity, Electrical energy and power
विषय: प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता का अनुप्रयोग, विद्युत ऊर्जा और शक्ति
The resistance of the platinum wire of a platinum resistance thermometer at the ice point is 5Ω5 \Omega5Ω and at steam point is 5.23Ω5.23 \Omega5.23Ω. When the thermometer is inserted in a hot bath, the resistance of the platinum wire is 5.795Ω5.795 \Omega5.795Ω. Calculate the temperature of the bath.
प्लैटिनम प्रतिरोध थर्मामीटर के प्लैटिनम तार का बर्फ बिंदु पर प्रतिरोध 5Ω5 \Omega5Ω है और भाप बिंदु पर 5.23Ω5.23 \Omega5.23Ω है। जब थर्मामीटर को गर्म स्नान में डाला जाता है, तो प्लैटिनम तार का प्रतिरोध 5.795Ω होता है। स्नान के तापमान की गणना करें.
Application of Temperature Dependence of Resistivity →\rightarrow→ Electrical Energy and Power →\rightarrow→ Power Transmission
R0=5Ω,R100=5.23ΩR_0=5 \Omega, R_{100}=5.23 \OmegaR0=5Ω,R100=5.23Ω and Rt=5.795ΩR_t=5.795 \OmegaRt=5.795Ω
Now using, Rt=R0(1+αt)\quad R_t=R_0(1+\alpha t)Rt=R0(1+αt)
we get,
t=Rt−R0R100−R0×100t=\frac{R_t-R_0}{R_{100}-R_0} \times 100t=R100−R0Rt−R0×100
t=5.795−55.23−5×100t =\frac{5.795-5}{5.23-5} \times 100t=5.23−55.795−5×100
t=0.7950.23×100=345.65∘Ct =\frac{0.795}{0.23} \times 100=345.65^{\circ} \mathrm{C}t=0.230.795×100=345.65∘C
R0=5Ω,R100=5.23ΩR_0=5\Omega, R_{100}=5.23\OmegaR0=5Ω,R100=5.23Ω और Rt=5.795ΩR_t=5.795\OmegaRt=5.795Ω
अब Rt=R0(1+αt)\quad R_t=R_0(1+\alpha t)Rt=R0(1+αt) का उपयोग कर रहे हैं
हमारे पास है,
t=Rt−R0R100−R0×100t=\frac{R_t-R_0}{R_{100}-R_0}\times 100t=R100−R0Rt−R0×100
t=5.795−55.23−5×100t =\frac{5.795-5}{5.23-5}\times100t=5.23−55.795−5×100
t=0.7950.23×100=345.65∘Ct = \frac{0.795}{0.23}\times100=345.65^{\circ}\mathrm{C}t=0.230.795×100=345.65∘C
Consider a conductor with end points A and B, with current I flowing from A to B.
Electric potential at A and B are denoted by V(A)V(A)V(A) and V(B)V(B)V(B) respectively.
Potential difference across AB is V=V(A)−V(B)>0V = V(A)- V(B) > 0V=V(A)−V(B)>0.
अंतिम बिंदु ए और बी वाले एक कंडक्टर पर विचार करें, जिसमें ए से बी तक धारा I प्रवाहित हो रही है।
A और B पर विद्युत विभव को क्रमशः V(A)V(A)V(A) और V(B)V(B)V(B) द्वारा दर्शाया जाता है।
AB के पार विभवान्तर V=V(A)−V(B)>0V = V(A)- V(B) > 0V=V(A)−V(B)>0 है।
Change in Potential Energy
In a time interval Δt\Delta tΔt, charge ΔQ=IΔt\Delta Q = I \Delta tΔQ=IΔt travels from A to B.
Change in potential energy ΔUpot\Delta U_{\text{pot}}ΔUpot is given by: ΔUpot=ΔQ[V(B)−V(A)]=−ΔQV=−IVΔt<0\scriptsize{ \Delta U_{\text{pot}} = \Delta Q[V(B)- V(A)] = -\Delta Q V = -I V \Delta t < 0} ΔUpot=ΔQ[V(B)−V(A)]=−ΔQV=−IVΔt<0
स्थितिज उर्जा में परिवर्तन
एक समय अंतराल Δt\Delta tΔt में, चार्ज ΔQ=IΔt\Delta Q = I \Delta tΔQ=IΔt A से B तक यात्रा करता है।
स्थितिज उर्जा में परिवर्तन ΔUpot\Delta U_{\text{pot}}ΔUpot द्वारा दिया गया है: ΔUpot=ΔQ[V(B)−V(A)]=−ΔQV=−IVΔt<0\scriptsize{ \Delta U_{\text{pot}} = \Delta Q[V(B)- V(A)] = -\Delta Q V = -I V \Delta t < 0} ΔUpot=ΔQ[V(B)−V(A)]=−ΔQV=−IVΔt<0
Change in Kinetic Energy:
If charges moved without collisions, their kinetic energy would change such that total energy is unchanged: ΔK=−ΔUpot=IVΔt>0\scriptsize{ \Delta K = -\Delta U_{\text{pot}} = I V \Delta t > 0} ΔK=−ΔUpot=IVΔt>0
In reality, charges move with a steady drift velocity due to collisions with ions and atoms.
गतिज ऊर्जा में परिवर्तन:
यदि आवेश बिना टकराव के चलते हैं, तो उनकी गतिज ऊर्जा इस तरह बदल जाएगी कि कुल ऊर्जा अपरिवर्तित रहेगी: ΔK=−ΔUpot=IVΔt>0\scriptsize{ \Delta K = -\Delta U_{\text{pot}} = I V \Delta t > 0} ΔK=−ΔUpot=IVΔt>0
वास्तव में, आयनों और परमाणुओं के साथ टकराव के कारण आवेश स्थिर बहाव वेग से चलते हैं।
Energy Dissipation as Heat:
During collisions, energy gained by the charges is shared with the atoms, causing the conductor to heat up.
Energy dissipated as heat in the conductor during time interval Δt\Delta tΔt is: ΔW=IVΔt \Delta W = I V \Delta t ΔW=IVΔt
ऊष्मा के रूप में ऊर्जा अपव्यय:
टकराव के दौरान, आवेशों द्वारा प्राप्त ऊर्जा परमाणुओं के साथ साझा की जाती है, जिससे कंडक्टर गर्म हो जाता है।
समय अंतराल Δt\Delta tΔt के दौरान कंडक्टर में गर्मी के रूप में ऊर्जा का क्षय होता है: Δडब्ल्यू=आईवीΔटी \Delta डब्ल्यू = आई वी \Delta टी Δडब्ल्यू=आईवीΔटी
Source of Power:
An external source is needed to keep a steady current through the conductor.
In a simple circuit with a cell, it is the chemical energy of the cell that supplies this power.
शक्ति का स्रोत:
कंडक्टर के माध्यम से स्थिर धारा बनाए रखने के लिए एक बाहरी स्रोत की आवश्यकता होती है।
सेल के साथ एक साधारण सर्किट में, यह सेल की रासायनिक ऊर्जा है जो इस शक्ति की आपूर्ति करती है।
Electrical power is transmitted from power stations to homes and factories via transmission cables.
To minimize power loss in the transmission cables, power is transmitted at high voltages.
विद्युत ऊर्जा को पावर स्टेशनों से घरों और कारखानों तक ट्रांसमिशन केबल के माध्यम से प्रेषित किया जाता है।
ट्रांसमिशन केबलों में बिजली के नुकसान को कम करने के लिए, बिजली को उच्च वोल्टेज पर प्रसारित किया जाता है।
The power wasted in the connecting wires is inversely proportional to the square of the voltage: Pc=I2Rc=P2RcV2\scriptsize{ P_{\text{c}} = I^2 R_c = \frac{P^2 R_c}{V^2}} Pc=I2Rc=V2P2Rc
High voltage transmission lines carry current at enormous values of VVV to reduce power loss.
कनेक्टिंग तारों में बर्बाद होने वाली बिजली वोल्टेज के वर्ग के व्युत्क्रमानुपाती होती है: Pc=I2Rc=P2RcV2\scriptsize{ P_{\text{c}} = I^2 R_c = \frac{P^2 R_c}{V^2}} Pc=I2Rc=V2P2Rc
बिजली की हानि को कम करने के लिए उच्च वोल्टेज ट्रांसमिशन लाइनें VVV के विशाल मान पर करंट प्रवाहित करती हैं।
Topics: Internal resistance, potential difference and emf of a cell.
विषय: सेल का आंतरिक प्रतिरोध, विभवान्तर और EMF।
A cell has two electrodes, positive (P) and negative (N), immersed in an electrolytic solution.
The positive electrode has a potential difference V+V_+V+ between itself and the electrolyte adjacent to it.
The negative electrode develops a negative potential −V−-V_-−V− relative to the electrolyte adjacent to it.
एक सेल में दो इलेक्ट्रोड, धनात्मक (P) और ऋणात्मक (N) होते हैं, जो इलेक्ट्रोलाइटिक घोल में डूबे होते हैं।
सकारात्मक इलेक्ट्रोड में स्वयं और उसके निकटवर्ती इलेक्ट्रोलाइट के बीच विभवान्तर V+V_+V+ होता है।
नकारात्मक इलेक्ट्रोड अपने निकटवर्ती इलेक्ट्रोलाइट के सापेक्ष एक नकारात्मक क्षमता −V−-V_-−V− विकसित करता है।
Cell and EMF (Electromotive Force) →\rightarrow→ Significance of EMF →\rightarrow→ Internal Resistance →\rightarrow→ Potential Difference with Finite Resistance →\rightarrow→ Current I through the circuit, for the finite value of R
When there is no current, the potential difference between P and N is the electromotive force (emf) of the cell:
ε=V+−(−V−)=V++V−>0\scriptsize{\varepsilon = V_{+}-(-V_{-}) = V_+ + V_- > 0}ε=V+−(−V−)=V++V−>0
ε\varepsilonε is a potential difference, not a force.
The name “emf” is used due to historical reasons, and was given at a time when the phenomenon was not understood properly.
जब कोई करंट नहीं होता है, तो P और N के बीच विभवान्तर सेल का इलेक्ट्रोमोटिव बल (EMF) होता है:
ε\varepsilonε एक विभवान्तर है, बल नहीं।
“EMF” नाम का उपयोग ऐतिहासिक कारणों से किया जाता है, और यह उस समय दिया गया था जब इस घटना को ठीक से समझा नहीं गया था।
Consider a resistor RRR connected across a cell.
A steady current is maintained because current flows from N to P through the electrolyte and from P to N through the resistor RRR.
एक सेल से जुड़े एक प्रतिरोधक RRR पर विचार करें।
एक स्थिर धारा बनाए रखी जाती है क्योंकि इलेक्ट्रोलाइट के माध्यम से विद्युत धारा N से P की ओर और प्रतिरोधक RRR के माध्यम से P से N की ओर प्रवाहित होती है।
The electrolyte has a finite resistance rrr, called the internal resistance.
EMF ε\varepsilonε is the potential difference between the positive and negative electrodes in an open circuit (when no current is flowing).
इलेक्ट्रोलाइट का एक सीमित प्रतिरोध rrr होता है, जिसे आंतरिक प्रतिरोध कहा जाता है।
EMF ε\varepsilonε एक खुले सर्किट में सकारात्मक और नकारात्मक इलेक्ट्रोड के बीच विभवान्तर है (जब कोई धारा प्रवाहित नहीं हो रही हो)।
Since VVV is the potential difference across RRR, from Ohm’s law: V=IR V = IR V=IR
Combining with the expression for potential difference: IR=ε−Ir IR = \varepsilon- Ir IR=ε−Ir
चूँकि ओम के नियम के अनुसार VVV, RRR के बीच विभवान्तर है: V=IR V = IR V=IR
विभवान्तर के लिए अभिव्यक्ति के साथ संयोजन: IR=ε−Ir IR = \varepsilon- Ir IR=ε−Ir
Current III through the circuit is given by: I=εR+r I = \frac{\varepsilon}{R + r} I=R+rε
The maximum current that can be drawn from a cell is Imax=ε/rI_{\max} = \varepsilon / rImax=ε/r for R=0R = 0R=0. However, the actual maximum allowed current is often much lower to prevent permanent damage to the cell.
सर्किट के माध्यम से वर्तमान III द्वारा दिया गया है: I=εR+r I = \frac{\varepsilon}{R + r} I=R+rε
किसी सेल से खींची जा सकने वाली अधिकतम धारा R=0R = 0R=0 के लिए Imax=ε/rI_{\max} = \varepsilon/rImax=ε/r है। हालाँकि, सेल को स्थायी क्षति से बचाने के लिए वास्तविक अधिकतम अनुमत धारा अक्सर बहुत कम होती है।
Topics: Combination of cells in series
विषय: श्रेणीक्रम में सेल
Consider two cells in series with emfs ε1\varepsilon_1ε1 and ε2\varepsilon_2ε2, and internal resistances r1r_1r1 and r2r_2r2, respectively.
Let V(A)V(\mathrm{A})V(A), V(B)V(\mathrm{B})V(B), and V(C)V(\mathrm{C})V(C) be the potentials at points A, B, and C.
क्रमशः emf ε1\varepsilon_1ε1 और ε2\varepsilon_2ε2, और आंतरिक प्रतिरोध r1r_1r1 और r2r_2r2 के साथ श्रृंखला में दो सेल पर विचार करें।
मान लीजिए V(A)V(\mathrm{A})V(A), V(B)V(\mathrm{B})V(B), और V(C)V(\mathrm{C})V(C) बिंदु A, B और C पर विभव हैं।
VAB≡V(A)−V(B)=ε1−Ir1\scriptsize{V_{\mathrm{AB}} \equiv V(\mathrm{A})- V(\mathrm{B})=\varepsilon_1- I r_1}VAB≡V(A)−V(B)=ε1−Ir1
VBC≡V(B)−V(C)=ε2−Ir2\scriptsize{V_{\mathrm{BC}} \equiv V(\mathrm{B})- V(\mathrm{C})=\varepsilon_2- I r_2}VBC≡V(B)−V(C)=ε2−Ir2
VAC≡V(A)−V(C)\scriptsize{ V_{\mathrm{AC}} \equiv V(\mathrm{A})-V(\mathrm{C})}VAC≡V(A)−V(C)
VAC=V(A)−V(B)+V(B)−V(C)\scriptsize{V_{\mathrm{AC}}=V(\mathrm{A})-V(\mathrm{B})+V(\mathrm{B})-V(\mathrm{C})}VAC=V(A)−V(B)+V(B)−V(C)
VAC=VAB+VBC\scriptsize{V_{\mathrm{AC}}=V_{\mathrm{AB}}+V_{\mathrm{BC}}}VAC=VAB+VBC
VAC=(ε1+ε2)−I(r1+r2)\scriptsize{V_{\mathrm{AC}}=\left(\varepsilon_1+\varepsilon_2\right)-I\left(r_1+r_2\right)}VAC=(ε1+ε2)−I(r1+r2)
Let,
VAC=εeq−Ireq\scriptsize{V_{A C}=\varepsilon_{e q}-I r_{e q}}VAC=εeq−Ireq
होने देना
To replace the combination with a single cell, the equivalent emf is εeq=ε1+ε2\varepsilon_{\text{eq}} = \varepsilon_1 + \varepsilon_2εeq=ε1+ε2 and the equivalent internal resistance is req=r1+r2r_{\text{eq}} = r_1 + r_2req=r1+r2.
If we connect the two negatives, then VBC=−ε2−Ir2V_{\mathrm{BC}} = -\varepsilon_2- I r_2VBC=−ε2−Ir2 and εeq=ε1−ε2\varepsilon_{\text{eq}} = \varepsilon_1- \varepsilon_2εeq=ε1−ε2 (assuming ε1>ε2\varepsilon_1 > \varepsilon_2ε1>ε2).
एकल सेल के साथ संयोजन को बदलने के लिए, समतुल्य emf εeq=ε1+ε2\varepsilon_{\text{eq}} = \varepsilon_1 + \varepsilon_2εeq=ε1+ε2 है और समतुल्य आंतरिक प्रतिरोध req=r1+r2हैr_{\text{eq}} = r_1 + r_2 है req=r1+r2है.
यदि हम दो नकारात्मक जोड़ते हैं, तो VBC=−ε2−Ir2V_{\mathrm{BC}} = -\varepsilon_2- I r_2VBC=−ε2−Ir2 और εeq=ε1−ε2\varepsilon_{\text{eq}} = \varepsilon_1- \varepsilon_2εeq=ε1−ε2 (यह मानते हुए ε1>ε2\varepsilon_1 > \varepsilon_2ε1>ε2).
εeq=ε1+ε2+ε3…εn\varepsilon_{\text{eq}} = \varepsilon_1 + \varepsilon_2 + \varepsilon_3 … \varepsilon_nεeq=ε1+ε2+ε3…εn
req=r1+r2+r3…rnr_{\text{eq}} = r_1 + r_2 + r_3 … r_nreq=r1+r2+r3…rn
Example 1
A battery of emf 2V2 V2V with internal resistance 0.1Ω0.1 \Omega0.1Ω is connected across external resistance of 3.9Ω3.9 \Omega3.9Ω. Then find the potential difference across the terminal.
उदाहरण 1
आंतरिक प्रतिरोध 0.1Ω0.1 \Omega0.1Ω के साथ ईएमएफ 2V2 V2V की एक बैटरी से जुड़ी हुई है 3.9Ω3.9 \Omega3.9Ω का बाहरी प्रतिरोध। फिर टर्मिनल पर विभवांतर ज्ञात करें।
Solution 1
ε=2V,r=0.1Ω,R=3.9ΩI=εR+r=23.9+0.1=24=12A=0.5 AV=ε−Ir=2−0.5(0.1)=2−0.05=1.95 Volt \scriptsize{ \begin{aligned} & \varepsilon=2 V, r=0.1 \Omega, R=3.9 \Omega \quad \\ & I=\frac{\varepsilon}{R+r}=\frac{2}{3.9+0.1}=\frac{2}{4}=\frac{1}{2} A=0.5 \mathrm{~A} \\ &V=\varepsilon-I r \quad =2-0.5(0.1) \\ & =2-0.05=1.95 \text { Volt } \end{aligned}} ε=2V,r=0.1Ω,R=3.9ΩI=R+rε=3.9+0.12=42=21A=0.5 AV=ε−Ir=2−0.5(0.1)=2−0.05=1.95 Volt
Topics: Combination of cells in parallel
विषय: पार्श्वक्रम में सेल
Cells are said to be connected in parallel when they are joined positive to positive and negative to negative such that current is divided between the cells.
I1\scriptsize{\mathrm{I}_1}I1 and I2\scriptsize{\mathrm{I}_2}I2 are the currents leaving the positive electrodes of the cells.
At the point B1\scriptsize{\mathrm{B}_1}B1.
We have, I=I1+I2\scriptsize{ I=I_1+I_2} I=I1+I2
सेल को समानांतर में जुड़ा हुआ तब कहा जाता है जब वे धनात्मक से धनात्मक और ऋणात्मक से ऋणात्मक इस प्रकार जुड़ती हैं कि सेल के बीच धारा विभाजित हो जाती है।
I1\scriptsize{\mathrm{I}_1}I1 और I2\scriptsize{\mathrm{I}_2}I2 सेल के सकारात्मक इलेक्ट्रोड छोड़ने वाली धाराएं हैं।
बिंदु B1\scriptsize{\mathrm{B}_1}B1 पर।
हमारे पास है, I=I1+I2\scriptsize{ I=I_1+I_2} I=I1+I2
Let V(B1)\scriptsize{V\left(B_1\right)}V(B1) and V(B2)\scriptsize{V\left(B_2\right)}V(B2) be the potentials at B1\scriptsize{B_1}B1 and B2\scriptsize{B_2}B2, respectively.
Then, considering the first cell, the potential difference across its terminals is V(B1)−V(B2)\scriptsize{V\left(B_1\right)-V\left(B_2\right)}V(B1)−V(B2).
Hence, V≡V(B1)−V(B2)=ε1−I1r1\scriptsize{ V \equiv V\left(B_1\right)-V\left(B_2\right)=\varepsilon_1-I_1 r_1} V≡V(B1)−V(B2)=ε1−I1r1
I1=ε1−Vr1\scriptsize{I_1 = \frac{\varepsilon_1-V}{r_1}}I1=r1ε1−V
मान लें कि V(B1)\scriptsize{V\left(B_1\right)}V(B1) और V(B2)\scriptsize{V\left(B_2\right)}V(B2) B1\scriptsize{B_1}B1 और B2\scriptsize{B_2}B2 पर विभव हैं , क्रमश।
फिर, पहले सेल पर विचार करते हुए, इसके टर्मिनलों पर विभवांतर V(B1)−V(B2)\scriptsize{V\left(B_1\right)-V\left(B_2\right)}V(B1)−V(B2) है।
इस तरह, V≡V(B1)−V(B2)=ε1−I1r1\scriptsize{ V \equiv V\left(B_1\right)-V\left(B_2\right)=\varepsilon_1-I_1 r_1} V≡V(B1)−V(B2)=ε1−I1r1
Similarly,
V≡V(B1)−V(B2)=ε2−I2r2\scriptsize{ V \equiv V\left(B_1\right)-V\left(B_2\right)=\varepsilon_2-I_2 r_2} V≡V(B1)−V(B2)=ε2−I2r2
I2=ε2−Vr2\scriptsize{I_2 = \frac{\varepsilon_2-V}{r_2}}I2=r2ε2−V
Combining the three equations
I=I1+I2 =ε1−Vr1+ε2−Vr2\scriptsize{ \begin{aligned} I & =I_1+I_2 \ & =\frac{\varepsilon_1-V}{r_1}+\frac{\varepsilon_2-V}{r_2} \end{aligned}} I=I1+I2 =r1ε1−V+r2ε2−V
I=(ε1r1+ε2r2)−V(1r1+1r2)\scriptsize{ \begin{aligned} I=\left(\frac{\varepsilon_1}{r_1}+\frac{\varepsilon_2}{r_2}\right)-V\left(\frac{1}{r_1}+\frac{1}{r_2}\right) \end{aligned}} I=(r1ε1+r2ε2)−V(r11+r21)
I=ε1r2+ε2r1r1r2−V(r2+r1r1r2)\scriptsize{ I=\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1 r_2}-V\left(\frac{r_2+r_1}{r_1 r_2}\right)} I=r1r2ε1r2+ε2r1−V(r1r2r2+r1)
इसी प्रकार,
तीन समीकरणों का संयोजन
V=ε1r2+ε2r1r1+r2−Ir1r2r1+r2\scriptsize{V=\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1+r_2}-I \frac{r_1 r_2}{r_1+r_2}}V=r1+r2ε1r2+ε2r1−Ir1+r2r1r2
If the parallel combination of cells is replaced by a single cell between B1B_1B1 and B2B_2 B2 emf εeq \varepsilon_{\text {eq }}εeq and internal resistance req r_{\text {eq }}req VAC=εeq −Ireq \scriptsize{ V_{A C}=\varepsilon_{\text {eq }}-I r_{\text {eq }}} VAC=εeq −Ireq
Comparing equation (1) and (2) εeq=ε1r2+ε2r1r1+r2\scriptsize{ \varepsilon_{e q}=\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1+r_2}} εeq=r1+r2ε1r2+ε2r1
and req=r1r2r1+r2\scriptsize{ r_{e q}=\frac{r_1 r_2}{r_1+r_2}} req=r1+r2r1r2
यदि सेलों के समानांतर संयोजन को B1B_1B1 और B2B_2 B2 ईएमएफ के बीच एकल सेल द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है εeq \varepsilon_{\text {eq }}εeq and internal resistance req r_{\text {eq }}req VAC=εeq −Ireq \scriptsize{ V_{A C}=\varepsilon_{\text {eq }}-I r_{\text {eq }}} VAC=εeq −Ireq
समीकरण (1) और (2) की तुलना करने पर εeq=ε1r2+ε2r1r1+r2\scriptsize{ \varepsilon_{e q}=\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1+r_2}} εeq=r1+r2ε1r2+ε2r1
और req=r1r2r1+r2\scriptsize{ r_{e q}=\frac{r_1 r_2}{r_1+r_2}} req=r1+r2r1r2
Also dividing εeq\scriptsize{\varepsilon_{e q}}εeq by req\scriptsize{r_{e q}}req
εeq req =ε1r2+ε2r1r1+r2r1r2r1+r2 \begin{aligned} & \frac{\varepsilon_{\text {eq }}}{r_{\text {eq }}}=\frac{\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1+r_2}}{\frac{r_1 r_2}{r_1+r_2}} \end{aligned} req εeq =r1+r2r1r2r1+r2ε1r2+ε2r1
εeq req =ε1r2+ε2r1r1r2 \begin{aligned} \frac{\varepsilon_{\text {eq }}}{r_{\text {eq }}}=\frac{\varepsilon_1 r_2+\varepsilon_2 r_1}{r_1 r_2} \end{aligned} req εeq =r1r2ε1r2+ε2r1
εeq req =ε1r1+ε2r2 \begin{aligned} \frac{\varepsilon_{\text {eq }}}{r_{\text {eq }}}=\frac{\varepsilon_1}{r_1}+\frac{\varepsilon_2}{r_2} \end{aligned} req εeq =r1ε1+r2ε2
साथ ही εeq\scriptsize{\varepsilon_{e q}}εeq को req\scriptsize{r_{e q}}req से विभाजित करने पर
εeqreq=ε1r1+⋯+εnrn \begin{aligned} & \frac{\varepsilon_{e q}}{r_{e q}}=\frac{\varepsilon_1}{r_1}+\cdots+\frac{\varepsilon_n}{r_n} \ \end{aligned} reqεeq=r1ε1+⋯+rnεn
1req=1r1+⋯+1rn \begin{aligned} \frac{1}{r_{e q}}=\frac{1}{r_1}+\cdots+\frac{1}{r_n} \end{aligned} req1=r11+⋯+rn1
Three batteries of internal resistances 5ohm,5ohm5 \mathrm{ohm}, 5 \mathrm{ohm}5ohm,5ohm, and 10ohm10 \mathrm{ohm}10ohm, each of 10 V10 \mathrm{~V}10 V are connected in parallel. Find the equivalent resistance and emf for the system.
आंतरिक प्रतिरोध 5ohm,5ohm5 \mathrm{ohm}, 5 \mathrm{ohm}5ohm,5ohm, और 10ohm10 \mathrm{ohm}10ohm की तीन बैटरियां, प्रत्येक 10 V10 \mathrm{~V}10 V समानांतर में जुड़ी हुई हैं। सिस्टम के लिए समतुल्य प्रतिरोध और ईएमएफ ज्ञात करें।
Solution:1
The formula for equivalent resistance is given by, 1R=1R1+1R2+1R3+……\scriptsize{ \frac{1}{R}=\frac{1}{R_1}+\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_3}+\ldots \ldots} R1=R11+R21+R31+……
Substituting these values in the equation, 1/R=1/5+1/5+1/10 \scriptsize{ \begin{aligned} & 1 / \mathrm{R}=1 / 5+1 / 5+1 / 10 \ \end{aligned}} 1/R=1/5+1/5+1/10
1/R=(2+2+1)/10 \scriptsize{ \begin{aligned} & 1 / \mathrm{R}=(2+2+1) / 10 \ \end{aligned}} 1/R=(2+2+1)/10
1/R=5/10=1/2 \scriptsize{ \begin{aligned} & 1 / \mathrm{R}=5 / 10=1 / 2 \ \end{aligned}} 1/R=5/10=1/2
R=2ohm\scriptsize{ \begin{aligned} & \mathrm{R}=2 \mathrm{ohm} \end{aligned}} R=2ohm
Now when n number of identical batteries are connected in parallel then equivalent emf is equal to the emf due to a single cell. Therefore Eequivalent =10 V E_{\text {equivalent }}=10 \mathrm{~V} Eequivalent =10 V
समतुल्य प्रतिरोध का सूत्र इस प्रकार दिया गया है, 1R=1R1+1R2+1R3+……\scriptsize{ \frac{1}{R}=\frac{1}{R_1}+\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_3}+\ldots \ldots} R1=R11+R21+R31+……
इन मानों को समीकरण में प्रतिस्थापित करने पर, 1/R=1/5+1/5+1/10 \scriptsize{ \begin{aligned} & 1 / \mathrm{R}=1 / 5+1 / 5+1 / 10 \ \end{aligned}} 1/R=1/5+1/5+1/10
अब जब n संख्या में समान बैटरियां समानांतर में जुड़ी होती हैं तो समतुल्य ईएमएफ एकल सेल के कारण ईएमएफ के बराबर होता है। इसलिए Eसमतुल्य =10 V E_{\text {समतुल्य }}=10 \mathrm{~V} Eसमतुल्य =10 V
Topics: Kirchhoff’s Rules
विषय: किरचॉफ के नियम
Given a circuit, we start by labelling currents in each resistor by a symbol, say III.
And a directed arrow to indicate that a current III flows along the resistor in the direction indicated.
If ultimately III is determined to be positive, the actual current in the resistor is in the direction of the arrow.
एक परिपथ को देखते हुए, हम प्रत्येक प्रतिरोधक में धाराओं को एक प्रतीक द्वारा लेबल करके शुरू करते हैं,
मान लीजिए III, और एक निर्देशित तीर यह इंगित करने के लिए कि एक धारा III तीर द्वारा इंगित दिशा में प्रतिरोधक के साथ बहती है।
यदि अंततः III को धनात्मक माना जाता है, तो प्रतिरोधक में वास्तविक धारा तीर की दिशा में होती है।
If I turns out to be negative, the current actually flows in a direction opposite to the arrow.
Similarly, for each source (i.e., cell or some other source of electrical power) the positive and negative electrodes are labelled, as well as, a directed arrow with a symbol for the current flowing through the cell.
यदि यह ऋणात्मक हो जाता है, तो धारा वास्तव में तीर के विपरीत दिशा में प्रवाहित होती है।
इसी प्रकार, प्रत्येक स्रोत (यानी, सेल या विद्युत शक्ति का कोई अन्य स्रोत) के लिए धनात्मक और ऋणात्मक इलेक्ट्रोड लेबल किए जाते हैं, साथ ही, सेल के माध्यम से प्रवाहित होने वाली धारा के प्रतीक के साथ एक निर्देशित तीर भी होता है।
(a) Junction rule: At any junction, the sum of the currents entering the junction is equal to the sum of currents leaving the junction .
At junction a the current leaving is I1+I2I_{1}+I_{2}I1+I2 and current entering is I3I_{3}I3.
The junction rule says I3=I1+I2I_{3}=I_{1}+I_{2}I3=I1+I2.
** (क) जंक्शन नियम:** किसी भी जंक्शन पर, जंक्शन में प्रवेश करने वाली धाराओं का योग जंक्शन से निकलने वाली धाराओं के योग के बराबर होता है।
जंक्शन a पर निकलने वाली धारा I1+I2I_{1}+I_{2}I1+I2 है और प्रवेश करने वाली धारा I3I_{3}I3 है।
जंक्शन नियम कहता है I3=I1+I2I_{3}=I_{1}+I_{2}I3=I1+I2।
The proof of this rule follows from the fact that when currents are steady,
There is no accumulation of charges at any junction or at any point in a line.
Thus, the total current flowing in, (which is the rate at which charge flows into the junction), must equal the total current flowing out.
इस नियम का प्रमाण इस तथ्य से मिलता है कि जब धाराएँ स्थिर होती हैं,
किसी भी जंक्शन पर या किसी रेखा में किसी भी बिंदु पर आवेशों का कोई संचय नहीं होता है।
इस प्रकार, प्रवाहित होने वाली कुल धारा, (जो कि वह दर है जिस पर आवेश जंक्शन में प्रवाहित होता है), बाहर प्रवाहित होने वाली कुल धारा के बराबर होनी चाहिए।
(b) Loop rule: The algebraic sum of changes in potential around any closed loop involving resistors and cells in the loop is zero .
(ख) लूप नियम: लूप में प्रतिरोधों और सेलों को शामिल करते हुए किसी भी बंद लूप के चारों ओर विभव में परिवर्तनों का बीजगणितीय योग शून्य होता है।
At junction ‘a’ the current leaving is I1+I2I_1+I_2I1+I2 and current entering is I3I_3I3.
The junction rule says I3=I1+I2I_3=I_1+I_2I3=I1+I2.
For the loops ‘ahdcba’ and ‘ahdefga’, the loop rules give
30I1−45+30 I_1-45+30I1−45+ 41I3=041 I_3=041I3=0
30I1−21I2+80=030 I_1-21 I_2+80=030I1−21I2+80=0.
जंक्शन ‘a’ पर निकलने वाली धारा I1+I2I_1+I_2I1+I2 है और प्रवेश करने वाली धारा I3I_3I3 है।
जंक्शन नियम कहता है I3=I1+I2I_3=I_1+I_2I3=I1+I2.
लूप ‘ahdcba’ और ‘ahdefga’ के लिए, लूप नियम देते हैं
Topics: Application of Kirchhoff’s Rules and the Wheatstone Bridge
विषय: किरचॉफ के नियमों का अनुप्रयोग और व्हीटस्टोन ब्रिज
As an application of Kirchhoff’s rules consider the circuit shown, which is called the Wheatstone bridge.
The bridge has four resistors R1,R2,R3R_1, R_2, R_3R1,R2,R3 and R4R_4R4.
Across one pair of diagonally opposite points (A\mathrm{A}A and C\mathrm{C}C in the figure) a source is connected. This (i.e., AC\mathrm{AC}AC) is called the battery arm.
किरचॉफ के नियमों के अनुप्रयोग के रूप में दिखाए गए सर्किट पर विचार करें, जिसे व्हीटस्टोन ब्रिज कहा जाता है।
पुल में चार प्रतिरोधक R1,R2,R3R_1, R_2, R_3R1,R2,R3 और R4R_4R4 हैं।
विकर्ण रूप से विपरीत बिंदुओं की एक जोड़ी के पार (A\mathrm{A}A और C\mathrm{C}C चित्र में) एक स्रोत जुड़ा हुआ है। इसे (यानी, AC\mathrm{AC}AC) को बैटरी आर्म कहा जाता है।
Between the other two vertices, B and D, a galvanometer G\mathrm{G}G (which is a device to detect currents) is connected. The line BD, is called the galvanometer arm.
For simplicity, we assume that the cell has no internal resistance.
In general there will be currents flowing across all the resistors as well as a current IgI_{\mathrm{g}}Ig through G.
अन्य दो शीर्षों, B और D के बीच, एक गैल्वेनोमीटर G\mathrm{G}G जुड़ा हुआ है। रेखा BD को गैल्वेनोमीटर भुजा कहा जाता है।
सरलता के लिए, हम मानते हैं कि सेल का कोई आंतरिक प्रतिरोध नहीं है।
सामान्य तौर पर सभी प्रतिरोधों में करंट प्रवाहित होगा और साथ ही G से होकर IgI_{\mathrm{g}}Ig भी प्रवाहित होगा।
Of special interest, is the case of a balanced bridge where the resistors are such that Ig=0I_g=0Ig=0.
We can easily get the balance condition, such that there is no current through G.
In this case, the Kirchhoff’s junction rule applied to junctions D and B gives us the relations I1=I3I_1=I_3I1=I3 and I2=I4I_2=I_4I2=I4.
विशेष रुचि का मामला एक संतुलित पुल का मामला है जहां प्रतिरोधक ऐसे होते हैं कि Ig=0I_g=0Ig=0।
हम आसानी से संतुलन की स्थिति प्राप्त कर सकते हैं, जैसे कि जी के माध्यम से कोई करंट नहीं है।
इस मामले में, जंक्शन डी और बी पर लागू किरचॉफ का जंक्शन नियम हमें I1=I3I_1=I_3I1=I3 और I2=I4I_2=I_4I2=I4 संबंध देता है।
Next, we apply Kirchhoff’s loop rule to closed loops ADBA and CBDC.
The first loop gives −I1R1+0+I2R2=0(Ig=0)-I_1 R_1+0+I_2 R_2=0 \quad\left(I_{\mathrm{g}}=0\right)−I1R1+0+I2R2=0(Ig=0)
The second loop gives, upon using I3=I1,I4=I2I_3=I_1, I_4=I_2I3=I1,I4=I2 I2R4+0−I1R3=0I_2 R_4+0-I_1 R_3=0I2R4+0−I1R3=0
इसके बाद, हम बंद लूप ADBA और CBDC पर किरचॉफ का लूप नियम लागू करते हैं।
पहला लूप −I1R1+0+I2R2=0(Ig=0)-I_1 R_1+0+I_2 R_2=0 \quad\left(I_{\mathrm{g}}=0\right)−I1R1+0+I2R2=0(Ig=0) देता है
दूसरा लूप, I3=I1,I4=I2I_3=I_1, I_4=I_2I3=I1,I4=I2 I2R4+0−I1R3=0I_2 R_4+0-I_1 R_3=0I2R4+0−I1R3=0 का उपयोग करने पर देता है
We obtain, I1I2=R2R1\frac{I_1}{I_2}=\frac{R_2}{R_1}I2I1=R1R2
and I1I2=R4R3\frac{I_1}{I_2}=\frac{R_4}{R_3}I2I1=R3R4
हमें प्राप्त होता है, I1I2=R2R1\frac{I_1}{I_2}=\frac{R_2}{R_1}I2I1=R1R2
और I1I2=R4R3\frac{I_1}{I_2}=\frac{R_4}{R_3}I2I1=R3R4
Hence, we obtain the condition R2R1=R4R3\frac{\mathrm{R}_2}{\mathrm{R}_1}=\frac{\mathrm{R}_4}{\mathrm{R}_3}R1R2=R3R4
Above equation relating the four resistors is called the balance condition for the galvanometer to give zero or null deflection.
इसलिए, हम शर्त प्राप्त करते हैं R2R1=R4R3\frac{\mathrm{R}_2}{\mathrm{R}_1}=\frac{\mathrm{R}_4}{\mathrm{R}_3}R1R2=R3R4
चार प्रतिरोधों से संबंधित उपरोक्त समीकरण को गैल्वेनोमीटर के लिए शून्य या शून्य विक्षेपण देने के लिए संतुलन स्थिति कहा जाता है।
Let us suppose R4R_4R4 is not known.
Keeping known resistances R1R_1R1 and R2R_2R2 in the first and second arm of the bridge, we go on varying R3R_3R3 till the galvanometer shows a null deflection.
The bridge then is balanced, and R4R_4R4 is given by, R4=R3R2R1R_4=R_3 \frac{R_2}{R_1}R4=R3R1R2
A practical device using this principle is called the meter bridge.
मान लीजिए कि R4R_4R4 ज्ञात नहीं है।
पुल की पहली और दूसरी भुजाओं में ज्ञात प्रतिरोधों R1R_1R1 और R2R_2R2 को बनाए रखना, जो R3R_3R3 में तब तक बदलता रहता है जब तक कि गैल्वेनोमीटर शून्य विक्षेप न दिखा दे।
फिर पुल को संतुलित किया जाता है, और R4R_4R4 द्वारा दिया जाता है, R4=R3R2R1R_4=R_3 \frac{R_2}{R_1}R4=R3R1R2
इस सिद्धांत का उपयोग करने वाले एक व्यावहारिक उपकरण को मीटर ब्रिज कहा जाता है।