पी-एन जंक्शन के माध्यम से मौजूदा

1. ऊर्जा बैंड आरेख

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• ठोस में ऊर्जा बैंडों की अवधारणा और सेमीकंडक्टर में ऊर्जा बैंड की गठन को समझें।

• उनकी ऊर्जा बैंड आरेखों के आधार पर, चालक, सेमीकंडक्टर और विद्युतस्रोत पर अंतरण करें।

• पी-प्रकार और एन-प्रकार सेमीकंडक्टरों की ऊर्जा बैंड आरेखों का विश्लेषण करें, जिसमें विकास बैंड, परावधी बैंड और प्रतिबंधित ऊर्जा अंतराल (E_g) शामिल है।

2. सीधी रेखा और फैलाव की धाराएं

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• आवेशित विद्युत क्षेत्र के कारण चार्ज के बहने की गति, जो एक लागू विद्युत चंचलता है, की अवधारणा समझें।

• पचान के धाराएं की अवधारणा समझें, जो एक सांद्रदीप्ति अनुमान के कारण चार्ज के बहने की गति है।

• चाल के साथ और चाल के विरुद्ध प्रतिरोध परिस्थितियों में पी-एन जंक्शन डायोड के धारा-वोल्टेज (आई-वी) विशेषताएँ विश्लेषण करें, जो दोनों चाल और पचान की धाराओं को ध्यान में रखती हैं।

3. अपूर्ति क्षेत्र और इंबिल्ट-इन संभावना

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• बहुतांतर वहीवत चार्ज कारकों के विकास के कारण पी-एन जंक्शन पर अपूर्ति क्षेत्र का गठन समझें।

• अपूर्ति क्षेत्र की चौड़ाई का निर्धारण करें और इसका आवेदित ध्यान वोल्टेज पर निर्भरता समझें।

• पी-एन जंक्शन पर इंबिल्ट-इन संभावना प्रबंध की विश्लेषण करें और इसका चार्ज कारकों की प्रवाह पर प्रभाव जानें।

4. संघटन बायस आपरेशन

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• जब आवेदित ध्यान वोल्टेज निर्मित संघटन प्राकृतिकसमूह से अधिक होता है, तो संघटन पर पी-एन जंक्शन के व्यवहार का अध्ययन करें।

• आधिकांत संख्या कारक सिंचन और अल्पांकी कारक छर्रान की मेचेंज्मों का विश्लेषण करें, जो वर्तमान विद्युत प्रवाह में वृद्धि करती हैं।

• पी-एन जंक्शन डायोड की संघटन आई-वी विशेषताओं का निर्धारण करें और ओहमिक और व्यष्टिगत व्यवहार क्षेत्रों की पहचान करें।

5. रािंछ बायस आपरेशन

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• जब आवेदित ध्यान वोल्टेज निर्मित संघटन प्राकृतिकसमूह से कम होता है, तो पी-एन जंक्शन के व्यवहार की अवधारणा समझें।

• अल्पांकी कारक उत्पन्नि-प्रतिसंघटन की और परिसर के पी-एन जंक्शन में रीकम्बिनेशन की अवधारणा पर विश्लेषण करें।

• परावर्तित अवक्षेप प्रवाह (I₀) को और इसकी तापमान पर निर्भरता को निर्धारित करें।

• पी-एन जंक्शन में अस्थिरता प्रबंध की अवधारणा, जिसमें Zener अस्थिरता और avalanche अस्थिरता शामिल है, का अध्ययन करें।

6. जंक्शन क्षमता

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: कैमिकल इलेक्ट्रॉनिक्स: तत्व, उपकरण, और सरल सर्किट

• डिप्लीशन क्षेत्र में चार्ज के प्रभारों के संचय के कारण P-N जंक्शन में जंक्शन धारिता की अवधारणा को समझें।

• जंक्शन धारिता के लिए व्यक्ति निर्धारित करें और इसकी अपेक्षित बायस वोल्टेज पर आधारित विश्लेषण करें।

• आवृत्ति के साथ जंक्शन धारिता की परिवर्तन का अध्ययन करें और धातु परत क्षेत्रीय धारिता की अवधारणा की व्याख्या करें।

7. पी-एन जंक्शन डायोड

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: द्रव्यमान, यंत्र, और सरल परिपथों के लिए अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिक्स

• पी-एन जंक्शन डायोड के मूल संरचना और परिचालन के बारे में जानें।

• डायोड की वॉल्ट-आंपेर चरित्रिका का विश्लेषण करें और अग्रभाग और प्रतिलोम विभागों की पहचान करें।

• डायोड सुधार और उसका इलेक्ट्रॉनिक परिपथों में उपयोग में प्रतिष्ठान की अवधारणा को समझें।

8. प्रकाश प्रकाशित करने वाले डायोड (एलईडी)

• संदर्भ: NCERT भौतिकी भाग I, कक्षा 12, अध्याय 14: द्रव्यमान, यंत्र, और सरल परिपथों के लिए अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिक्स

• प्रकाशित करने वाले डायोड में प्रकाश उत्पन्न करने के सिद्धांत पर अध्ययन करें, जो इलेक्ट्रॉनों और खुरचन के संयोजन पर आधारित है।

• बैंडगैप ऊर्जा और डोपिंग संघटना जैसे कारकों के प्रभाव पर विचार करें जो एलईडी के रंग और क्षमता को प्रभावित करते हैं।

• विभिन्न प्रकार के एलईडी को समझें और उनके आवश्यकतानुसार ज्योतिष्कारीय उपकरणों, जैसे प्रदर्शनी, प्रकाश, और संवेदक में उपयोग को समझें।