सॉलिड स्टेट एमडी
यूनिट
1
सॉलिड स्टेट
I. मल्टिपल च्वाइस प्रश्न (प्रकार-I)
~~ 1. निम्नलिखित मापदंडों में से कौन सी स्थिति एक पदार्थ की ठोस स्थिति के अस्तित्व को अधिक पक्षदायी बनाती है?
(i) उच्च तापमान
(ii) कम तापमान
(iii) उच्च तापीय ऊर्जा
(iv) कम मजबूत-संकुचन बाल
~~ 2. निम्नलिखित में से कौन सी विशेषता क्रिस्टलीय ठोस पदार्थ की नहीं है?
(i) निश्चित और विशेष हीत फ्यूजन।
(ii) बहुनिश्चितक विशेषता।
(iii) तत्वांशों के संपूर्ण क्रिस्टल में नियमित और निरंतर तर्कसंगठन।
(iv) एक सच्चा ठोस
~~ 3. निम्नलिखित में से कौन सी ठोस अनिश्चित पदार्थ है?
(i) ग्रेफाइट (सी)
(ii) क्वार्ट्ज ग्लास $(SiO_2)$
(iii) क्रोम एलम
(iv) सिलिकॉन कार्बाइड ($SiC)$
~~ 4. निम्नलिखित में से कौन सी व्यवस्था अन्तःप्रभात्मक पदार्थ के चुंबकीय कणों के यांत्रिक संरेखण को दर्शाती है?
~~ 5. क्वार्ट्ज ग्लास के प्रतिफ्रक्तिव सूचकांक के मान के बारे में कौन सी सच्चाई है?
(i) सभी दिशाओं में समान
(ii) विभिन्न दिशाओं में भिन्न
(iii) माप नहीं की जा सकती
(iv) हमेशा शून्य
~~ 6. कौन सी वाक्यांशिकी अस्पष्ट ठोस पदार्थों के बारे में सत्य नहीं है?
(i) उन्हें उनके कुछ मण्यता तापमान पर ही क्रिस्टलीय हो सकती है।
(ii) उन्होंने लंबे समय तक रखने पर क्रिस्टलीय हो सकती है।
(iii) अस्पष्ट ठोस पदार्थ तापमान द्वारा मोल्ड किए जा सकते हैं।
(iv) वे दिशानुरूपी होते हैं।
~~ 7. क्रिस्टलीय ठोस पदार्थों का एकदर्शी मेलटिंग प्वाइंट…….के कारण होता है।
(i) क्रिस्टल जाल में छोटी दूरी पर दर्शाई संरचना के एक नियमित व्यवस्था।
(ii) क्रिस्टल जाल में लंबी दूरी पर दर्शाई संरचना के एक नियमित व्यवस्था।
(iii) विभिन्न दिशाओं में तत्वांशों की समान व्यवस्था।
(iv) विभिन्न दिशाओं में तत्वांशों की अलग व्यवस्था।
~~ 8. आयोडिन मोलेक्यूल केंद्र में क्रिस्टल जाल द्वारा रोके जाते हैं…………..
(i) लंदन बाल
(ii) गुदासी-गुदासी के संरेखन
(iii) सहायक बंध
(iv) कुलम्बिय प्रकार के बाल
~~ 9. निम्नलिखित में से कौन सा नेटवर्क सॉलिड है?
(i) $SO_2$ (सॉलिड)
(ii) $I_2$
(iii) हीरा
(iv) $H_2 O$ (बर्फ)
~~ 10. निम्नलिखित में से कौन सा ठोस विद्युत चालक नहीं है?
(A) $\quad Mg(s)$
(B) $TiO(s)$
(C) $I_2(s)$
(D) $H_2 O(s)$
(i) (A) ही
(ii) (B) ही
(iii) (C) और (D)
(iv) (B), (C) और (D)
~~ 11. निम्नलिखित में से कौन सी विशेषता आयनिक ठोसों की नहीं है?
(i) पिघलाव अवस्था में बहुत कम मान विद्युत चालकता।
(ii) क्षतिपूर्ण प्रकृति।
(iii) बहुत मजबूत प्रभावों का रहना।
(iv) अनिश्चित रूप
~~ 12. ग्रेफाइट बिजली का अच्छा चालक है क्योंकि…
(i) अधिशेष यूंक्तियों का अभाव
(ii) मुक्त अवासीय इलेक्ट्रॉन
(iii) कैशियों
(iv) आयनों
~~ 13. निम्नलिखित में से कौन सा ऑक्साइड तापमान के आधार पर चालक या अचालक के रूप में व्यवहार करता है?
(i) $TiO$
(ii) $SiO_2$
(iii) $TiO_3$
(iv) $MgO$
~~
14. कौन से निम्नलिखित ऑक्साइड को मेटल की तरह विद्युतीय गुणधर्म दिखाती है?
(i) $SiO_2$
(ii) $MgO$
(iii) $SO_2(s)$
(iv) $CrO_2$
~~ 15. शुद्ध क्रिस्टल में एक क्षेत्रियता स्थान में कौन नहीं बस सकता है?
(i) मोलेक्यूल
(ii) आयन
(iii) इलेक्ट्रॉन
(iv) परमाणु
~~ 16. ग्रेफाइट को इनमें से किसी भी तरह में वर्गीकृत नहीं किया जा सकता
(i) चालक ठोस
(ii) नेटवर्क ठोस
(iii) सहसंयुक्त ठोस
(iv) आयनिक ठोस
~~ 17. कैटेंस इंटरस्टीटीयल स्थानों में मौजूद होते हैं
(i) फ्रेंकल दोष
(ii) शॉट्की दोष
(iii) रिक्ति दोष
(iv) धातु की कमी दोष
~~ 18. शॉट्की दोष का पता लगता है क्रिस्टल में जब
(i) कुछ कैटेंस अपने ग्रिड स्थान से इंटरस्टीटीयल स्थानों पर चले जाते हैं।
(ii) समान संख्या में कैटेंस और एनियन ग्रिड से गायब हो जाते हैं।
(iii) कुछ मौजूदा स्थानों पर इलेक्ट्रॉनों द्वारा कब्जा किया जाता है।
(iv) कुछ प्रविष्टि ग्रिड में मौजूद होती है।
~~ 19. $p$-प्रकार के सेमीकंडक्टर्स द्वारा अधिग्रहित चार्ज के बारे में कौन सी बात सच है?
(i) पॉजिटिव
(ii) न्यूट्रल
(iii) नेगेटिव
(iv) $p$ प्रवेशक की गुणता पर निर्भर करेगी
~~ 20. सिलिकॉन से एक $n$-प्रकार का सेमीकंडक्टर प्राप्त करने के लिए, इसे एक पदार्थ के साथ घोलना चाहिए जिसकी मूल्येन्स
(i) 2
(ii) 1
(iii) 3
(iv) 5
~~ 21. खरोटेदार यूनिट सेल में कुल टेट्राहेड्रल रिक्त स्थानों की संख्या है
(i) 6
(ii) 8
(iii) 10
(iv) 12
~~ 22. निम्नलिखित में से किस प्रकार के दोष $AgBr(s)$ के क्रिस्टल द्वारा दिखाए जाते हैं?
(A) शॉट्की दोष
(B) फ्रेंकल दोष
(C) धातु अतिशेष दोष
(D) धातु की कमी का दोष
(i) (A) और (B)
(ii) (C) और (D)
(iii) (A) और (C)
(iv) (B) और (D)
~~ 23. किस जोड़ी में सबसे अधिक कार्यक्षम पैकिंग मौजूद है?
(i) $h c p$ और $b c c$
(ii) $ h c p$ और $c c p$
(iii) $b c c$ और $c c p$
(iv) $b c c$ और सरल क्यूबिक सेल
~~ 24. एक शरीर बीचा हुआ सारनियम में खाली स्थान का प्रतिशत है__________________
(i) 74
(ii) 68
(iii) 32
(iv) 26
~~ 25. इसके बारे में निम्नलिखित कथन में से कौन सच नहीं है हेक्सेगोनल क्लोज पैकिंग के बारे में?
(i) समन्वय संख्या 12 है।
(ii) इसमें $74 %$ पैकिंग क्षमता होती है।
(iii) दूसरी परत की चतुर्भुजीय रिक्त स्थानों को तीसरी परत की गोलों से ढंका जाता है।
(iv) इस व्यवस्था में चौथी परत की गोलों को पहली परत की गोलों के साथ बिल्कुल संरेखित किया जाता है।
~~ 26. निम्नलिखित में से किस संरचनाओं में टाइट ढांचन संख्या कैटेंस और एनियन के लिए समान होगी?
(i) $Cl^{-}$आयन $f c c$ ग्रिड बनाता है और $Na^{+}$ आयन इकाई के सभी बहुपक्षीय रिक्त स्थानों का अधिग्रहण करते हैं।
(ii) $Ca^{2+}$ आयन $f c c$ ग्रिड बनाता है और $F^{-}$ आयन इकाई के सभी आठ त्रिभुजीय रिक्त स्थानों का अधिग्रहण करते हैं।
(iii) $O^{2-}$ आयन $f c c$ ग्रिड बनाता है और $Na^{+}$ आयन इकाई के सभी आठ त्रिभुजीय रिक्त स्थानों का अधिग्रहण करते हैं।
(iv) $S^{2-}$ आयन $f c c$ ग्रिड बनाता है और $Zn^{2+}$ आयन एकांतर त्रिभुजीय रिक्त स्थानों में जाता है।
~~ 27. दो आयामों में वर्गीकृत चौकों के कोऑर्डिनेशन संख्या क्या होती है?
(i) 2
(ii) 3
(iii) 4
(iv) 6
~~ 28. डोपिंग द्वारा किस प्रकार के दोष प्रविष्ट हो जाते हैं?
कंटेंट:
(i) अवयव विकृति
(ii) शोटकी विकृति
(iii) फ्रेंकेल विकृति
(iv) इलेक्ट्रॉनिक विकृति
~~ 29. इलेक्ट्रॉन-धनी दूषित सिलिकॉन बनाता है
(i) $p$-प्रकार सेमीकंडक्टर
(ii) $n$-प्रकार सेमीकंडक्टर
(iii) स्वाभाविक सेमीकंडक्टर
(iv) इंसुलेटर
~~ 30. निम्नलिखित कथनों में से कौन सा सत्य नहीं है?
(i) पैरामैग्नेटिक पदार्थों को चुम्बकीय क्षेत्र द्वारा कम प्रभावित किया जाता है।
(ii) फेरोमैग्नेटिक पदार्थों को स्थायी रूप से मैग्नेटाइज नहीं किया जा सकता है।
(iii) एंटीफेरोमैग्नेटिक पदार्थों में डोमेन एक दूसरे के संबंध में आपस में विपरीत निर्दिष्ट होते हैं।
(iv) इबाह्य द्वैधातु पदार्थों में इलेक्ट्रॉनों के समूहबद्ध होने से उनकी चुम्बकीय क्षमता को समाप्त कर दिया जाता है।
~~ 31. आयोनिक ठोस पदार्थों के बारे में निम्नलिखित में से कौन सच नहीं है?
(i) बड़े आयोन संपीड़नित संरचना बनाते हैं।
(ii) छोटे आयोन या तो चतुर्भुजीय रिक्त स्थानों को विकीर्ण करते हैं या ऑक्टाहेड्रल रिक्त स्थानों को, अपनी आयोन के आकार के आधार पर।
(iii) सभी रिक्त स्थानों का अधिग्रहण आवश्यक नहीं है।
(iv) ऑक्टाहेड्रल या चतुर्भुजीय रिक्त स्थानों का अधिग्रहण आवश्यकता आयोनों के आकार के आधार पर आयोनों की रेडियां अधिग्रहण कर रहे होते हैं।
~~ 32. एक फेरोमैग्नेटिक पदार्थ एक चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर स्थायी चुंबक बन जाता है क्योंकि _____________
(i) सभी डोमेन चुंबकीय क्षेत्र की दिशा में संरेखित हो जाते हैं।
(ii) सभी डोमेन चुंबकीय क्षेत्र की दिशा के विपरीत दिशा में संरेखित हो जाते हैं।
(iii) डोमेन यादृच्छिक रूप से संरेखित होते हैं।
(iv) डोमेनों को चुंबकीय क्षेत्र प्रभावित नहीं करता है।
~~ 33. विभिन्न प्रकार के यूनिट सेलों में पैकिंग की कुशलता का सही क्रम है
(i) $f c c<b c c<$ एक सरल घन
(ii) $f c c>b c c>$ एक सरल घन
(iii) $f c c>b c c>$ एक सरल घन
(iv) $b c c<f c c$ > एक सरल घन
~~ 34. निम्नांकित दोषों में कौन सा दोष भी अवयव दोष के रूप में जाना जाता है?
(i) फ्रेंकेल विकृति
(ii) शोटकी विकृति
(iii) गणनीय-दोष
(iv) सरल आंतरिक दोष
~~ 35. घन करीब से पैकिंग में, यूनिट सेल में है ___________
(i) चार चतुर्भुजीय रिक्त स्थान हर एक में चार आसन्नतम यूनिट सेलों के द्वारा साझा की जाती है।
(ii) यूनिट सेल के अंदर चार चतुर्भुजीय रिक्त स्थान होते हैं।
(iii) हर एक में आठ चतुर्भुजीय रिक्त स्थान होते हैं, जिनमें से प्रत्येक चार आसन्नतम यूनिट सेलों के द्वारा साझा की जाती है।
(iv) हर एक में आठ चतुर्भुजीय रिक्त स्थान होते हैं जो यूनिट सेलों के द्वारा साझा की जाती हैं।
~~ 36. यूनिट सेलों के किनारा लंबाईयों का संकेत दीवार गोलों के अंदर रेडियस के अनुसार होता है $f c c, b c c$ और सरल घन यूनिट सेल के लिए क्रमशः
(i) $2 \sqrt{2} r, \frac{4 r}{\sqrt{3}}, 2 r$
(ii) $\frac{4 r}{\sqrt{3}}, 2 \sqrt{2} r, 2 r$
(iii)$2 r, 2 \sqrt{2} r, \frac{4 r}{\sqrt{3}}$
(iv) $2 r, \frac{4 r}{\sqrt{3}}, 2 \sqrt{2} r$
~~ 37. ठोस पदार्थों में संचरण की सही क्रमशः प्रदर्शित करने वाला विधान कौन सा है?
(i) $\kappa_{\text {धातुएं }} \gg \kappa_{\text {इंसुलेटर }}<\kappa_{\text {सेमीकंडक्टर }}$
(ii) $\kappa_{\text {धातुएं }}«\kappa_{\text {इंसुलेटर }}<\kappa_{\text {सेमीकंडक्टर }}$
(iii) $\kappa_{\text {धातुएं }} \simeq \kappa_{\text {सेमीकंडक्टर }}>\kappa_{\text {इंसुलेटर }}=$ शून्य
विषय: (iv) $\kappa_{\text{मेटल्स}}<\kappa_{\text{सेमीकंडक्टर्स}}>\kappa_{\text{इंसुलेटर्स}}\neq$ शून्य
II. बहुविकल्पीय प्रश्न (Type-II)
नोट: निम्नलिखित प्रश्नों में दो या अधिक विकल्प सही हो सकते हैं.
~~ 38. 3 मात्रात्मक षणकों से निर्मित voids के बारे में निम्नलिखित में से कौन सत्य नहीं है?
(आई) जब पहली परत के त्रिकोणीय रिक्त स्थान के ऊपर दूसरी परत का एक गोला होता है, तब एक त्रिकोणात्मक रिक्त स्थान बनता है.
(ई) सभी त्रिकोणीय रिक्त स्थानों को दूसरी परत के गोलों से ढका नहीं जाता है.
(के) जब दूसरी परत के त्रिकोणीय रिक्त स्थान पहली परत के त्रिकोणीय रिक्त स्थानों के ऊपर स्थित होते हैं और इन रिक्त स्थानों के त्रिकोणात्मक आकार औरपेशानी नहीं होती है, तब एक त्रिकोणात्मक रिक्त स्थान बनता है.
(घ) जब पहली परत में समान रिक्त स्थानों के समान रिक्त स्थानों के साथ दूसरी परत के त्रिकोणीय रिक्त स्थान होते हैं तो अप्तपरम रिक्त स्थान बनता है.
~~ 39. विरोधीचुंबकीय पदार्थों के मामले में चुंबकीय पल मूल्य शून्य होता है क्योंकि क्षेत्र
(आई) लगाए गए चुंबकीय क्षेत्र की दिशा में अवस्थित हो जाते हैं.
(ई) लगाए गए चुंबकीय क्षेत्र की दिशा के विपरीत अवस्थित हो जाते हैं.
(के) मानक तुलनेमय दिशा के प्रति विपरीत दिशागत होते हैं बिना चुंबकीय क्षेत्र के लागू किए हुए.
(घ) पूरे दूसरे चरण के प्रति इसके चुंबकीय पल को समाप्त कर देंगे.
~~ 40. निम्नलिखित में से कौन सत्य नहीं है?
(आई) खाली स्थान की खामी पदार्थ की घनत्व में कमी पैदा करती है.
(ई) इंटरस्टीशियल क्षेत्र कमी को घनत्व में वृद्धि पैदा करता है.
(के) अविष्कृतता दोष का पदार्थ की घनत्व पर कोई प्रभाव नहीं होता है.
(घ) फ्रैंकल दोष का पदार्थ की घनत्व में वृद्धि पैदा करता है.
~~ 41. निम्नलिखित में से धातुओं के बारे में कौन सत्य हैं?
(आई) गृहरेखा पट्टी अवनति के साथ ओवरलैप करती है.
(ई) गृहरेखा पट्टी और ओवरलैप का अंतर अल्प होता है.
(के) गृहरेखा पट्टी और ओवरलैप का अंतर निर्धारित नहीं कर सकता है.
(घ) गृहरेखा पट्टी अंशतः भरी रह सकती है.
~~ 42. इलेक्ट्रिक फ़ील्ड के प्रभाव में, p-प्रकार के अर्धचालक में निम्नलिखित में से कौन सच है?
(आई) इलेक्ट्रॉन इलेक्ट्रॉन रिक्तियों के माध्यम से सकारात्मक चाल में जाएगा.
(ई) रासायनिक योग्यता नकारात्मक चाल में जाएगी.
(के) इलेक्ट्रॉन और रासायनिक योग्यता, सकारात्मक चाल में जाने के लिए प्राप्त होंगे.
(घ) चाल द्वारा संदर्भित नहीं होते हुए इलेक्ट्रॉनों की चलना संबंधित है.
~~ 43. निम्नलिखित में से सेमीकॉन्डक्टर्स के बारे में कौन सत्य हैं?
(आई) इलेक्ट्रॉन से संचालित क्षारीकों से युक्त सिलिकॉन एक $p$-प्रकार सेमीकॉन्डक्टर है.
(ई) इलेक्ट्रॉन से संचालित क्षारीकों से युक्त सिलिकॉन एक $n$-प्रकार सेमीकॉन्डक्टर है.
(के) विस्थापित इलेक्ट्रॉन सिलिकॉन की विद्युतचालकता बढ़ाते हैं.
(घ) एक इलेक्ट्रॉन की खाली स्थान $n$-प्रकार सेमीकॉन्डक्टर की विद्युतचालकता बढ़ाती है.
~~ 44. काशियम आयनों की अधिकता के कारण $KCl$ क्रिस्टल बैंगनी या गुलाबी दिखाई देते हैं क्योंकि
(आई) कुछ तात्क्रमिक स्थान एक अविस्थित इलेक्ट्रॉन द्वारा आपूर्त होते हैं.
(ii) कुछ अनायक आवासीय स्थानों को इलेक्ट्रॉनों की जोड़ी द्वारा आवर्जित किया जाता है।
(iii) कुछ अनायक आवासीय स्थानों पर रिक्तियों हैं।
(iv) F-केंद्र बनाए जाते हैं जो क्रिस्टल को रंग देते हैं।
~~ 45. $ NaCl $ क्रिस्टल में प्रति घनकक्ष में चारोंतर पूर्ण खोखले होते हैं
(i) 4
(ii) 8
(iii) ऑक्टाहीड्राल खोखलों की संख्या के दोगुना
(iv) ऑक्टाहीड्राल खोखलों की संख्या के चारगुना
~~ 46. अव्यवस्थित ठोस भी बुला सकते हैं
(i) pseudo ठोस
(ii) सच्चे ठोस
(iii) सुपर कूल ठोस
(iv) सुपर कूल ठोस
~~ 47. सिलिकॉन का एक सही क्रिस्टल (चित्र 1.1) कुछ तत्वों के साथ डोप किया जाता है जैसा कि विकल्पों में दिया गया है। इन विकल्पों में से कौन सा विकल्प $ n $ -प्रकार के सेमीकंडक्टर्स को दिखाता है?
चित्र 1.1 पवित्र क्रिस्टल
(iii)
(iv)
~~ 48. निम्नलिखित कथनों में से कौन से सही हैं?
(i) फेरीमैग्नेटिकद्रव्य तापीय करने पर फेरीमैग्नेटिज्म खो देते हैं और पैरामैग्नेटिक हो जाते हैं।
(ii) फेरीमैग्नेटिकद्रव्य तापीय करने पर फेरीमैग्नेटिज्म नहीं खोते हैं और फेरीमैग्नेटिक रहते हैं।
(iii) एंटीफेरोमैग्नेटिकद्रव्यों के घनत्वश्रृंखला विभक्तियों के लिए इस प्रकार की होती है जो फेरोमैग्नेटिकद्रव्य के समान होती है और उनके चुंबकीय क्षण हमेशा एक दूसरे द्वारा रद्द नहीं किए जाते हैं।
(iv) फेरोमैग्नेटिकद्रव्य में सभी फ़ील्डों ने इ दिशा में अवस्थित हो जाते हैं और किसी मैग्नेटिक क्षेत्र को हटाने के बाद भी ऐसे ही रहते हैं।
~~ 49. कौशल ग्लास द्वारा दिखाए जाने वाले निम्नलिखित विशेषताएं नहीं हैं?
(i) यह एक क्रिस्टलीय ठोस है।
(ii) पूर्वनिर्धारित प्रतिदिशा में प्रतिबिम्बी धारणा होती है।
(iii) इसका निश्चित मेलजोल का ताप होता है।
(iv) इसे अल्पसंयोज्यित ठोस भी कहा जाता है।
~~ 50. निम्नलिखित में से कौन सा आणविक ठोस के रूप में माना नहीं जा सकता है?
(i) सिलिकॉन कार्बाइड (Silicon carbide)
(ii) AlN
(iii) डायमंड
(iv) $ I_2 $
~~ 51. निम्नलिखित व्यवस्थाओं में ऑक्टाहेड्राल खोखले उत्पन्न होते हैं?
(i) $ h c p $
(ii) $ b c c $
(iii) सरल कुबिक
(iv) $ f c c $
~~ 52. फ्रेंकेल दोष को भी इस रूप में जाना जाता है
(i) रासायनिक दोष
(ii) परिगटन दोष
(iii) दूषित दोष
(iv) गैर-रासायनिक दोष
~~ 53. निम्नलिखित कोष्ठकों का घनत्व कम करते हैं?
(i) अंतरध्रुवीय दोष
(ii) रिक्ति दोष
(iii) फ्रेंकेल दोष
(iv) शोटकी दोष
III. छोटे उत्तर
~~ 54. तरल और गैस को लिजिद की श्रेणी में क्यों शामिल किया जाता है?
~~ 55. ठोस को असंपीड़ित क्यों माना जाता है?
~~ 56. कणों की व्यवस्था में लंबी दूरी के आदेश के बावजूद, क्रिस्टल आमतौर पर क्यों सही नहीं होती हैं?
~~ 57. टेबल नमक, $ NaCl $, कभी-कभी पीले रंग में क्यों दिखाई देता है?
58. क्या कारण है कि स्टोइकियोमेट्रिक संरचना में $FeO$ (s) नहीं बनता है?
~~ 59. क्यों हिलाये हुए सफेद $ZnO$ (s) पीले हो जाते हैं जब उन्हें गर्म किया जाता है?
~~ 60. सेमीकंडक्टरों की विद्युतीय पारंविकी तापमान के साथ क्यों बढ़ती है?
~~ 61. उपबंध जर्मेनियम के उपयोग के साथ जलियों करने पर प्रवाहिता क्यों बढ़ती है?
~~ 62. एक यौगिक में, नाइट्रोजन परमाणु (N) कक्षीय अवयव और धातु परमाणु (M) उपस्थित होते हैं। मेंटलधातु $M$ और $N$ द्वारा बनाए गए यौगिक का सूत्र निर्धारित करें?
~~ 63. किस परिस्थितियों में एक अव्यवस्थित पदार्थ अमूर्त से क्रिस्टल रूप में बदल सकता है?
४. मिलाने वाले प्रकार
ध्यान दें: निम्नलिखित प्रश्नों में कॉलम I में दिए गए वस्तुओं का कॉलम II में दिए गए विवरणों के साथ मेल खाने होंगे। कुछ प्रश्नों में कॉलम I और कॉलम II की एक से अधिक वस्तु मिल सकती है।
~~ 64. कॉलम I में दिए गए दोषों को कॉलम II में दिए गए कथनों के साथ मिलाएँ।
कॉलम I
(i) सरल खाली पदार्थ दोष
(ii) सरल अंतःस्थ दोष
(iii) फ्रेंकल दोष
(iv) शॉटकी दोष
कॉलम II
(a) गैर-आयॉनिक ठोस द्वारा दिखाए गए और ठोस की घनत्व बदाती है।
(b) आयॉनिक ठोस द्वारा दिखाए गए और ठोस की घनत्व कम करती है।
(c) गैर-आयॉनिक ठोस द्वारा दिखाए गए और ठोस की घनत्व कम होती है।
(d) आयॉनिक ठोस द्वारा दिखाए गए और ठोस की घनत्व एक ही रहती है।
~~ 65. कॉलम I में दिए गए इकाई कक्ष को कॉलम II में दिए गए विशेषताओं के साथ मिलाएँ।
कॉलम I
(i) मूलभूत घनिष्ठ इकाई कक्ष
(ii) धनि केंद्रबद्ध घनिष्ठ इकाई कक्ष
(iii) उभयोर्ध घनिष्ठ इकाई कक्ष
(iv) समाप्त केंद्रबद्ध आर्थोरॉम्बिक इकाई कक्ष
कॉलम II
(a) तीनों लघुरेखाओं की अलग-अलग अकार लंबी अकार शर्त पूर्णतः होती है, जैसे; $a \neq b \neq c$।
(b) इकाई कक्ष में प्रति पदार्थ की संख्या एक होती है।
(c) तीनों लघुरेखाओं की समान अकार शर्त पूर्णतः होती है, जैसे; $a=b=c$
(d) कोने के पदार्थों के योगदान के अतिरिक्त इकाई कक्ष में मौजूद पदार्थों की संख्या एक होती है।
(e) कोने के पदार्थों के योगदान के अतिरिक्त इकाई कक्ष में मौजूद पदार्थों की संख्या तीन होती है।
~~ 66. कॉलम I में दिए गए दोष प्रकार को कॉलम II में दिए गए कथन के साथ मिलाएँ।
कॉलम I
(i) अपमान दोष
(ii) धातु अतिशेष दोष
(iii) धातु कमी दोष
कॉलम II
(a) $NaCl$ में आयोनिक स्थितियों के साथ एफ-केंद्र के नाम से पुकारा जाता है
(b) $FeO$ में $Fe^{3+}$ के साथ
(c) $NaCl$ में $Sr^{2+}$ और कुछ कैटाइनिक स्थान खाली हैं
~~ 67. कॉलम I में दिए गए वस्तुओं को कॉलम II में दिए गए विवरणों के साथ मिलाएँ।
कॉलम I
(i) सामग्री में मैग्नीशियम ठोस माहिती
(ii) मोलटन स्थिति में $MgCl_2$
(iii) फास्फोरस के साथ सिलिकॉन
(iv) बोरॉन के साथ जर्मेनियम
कॉलम II
(a) $p$-प्रकार की प्रवाहधारी
(b) $n$-प्रकार की प्रवाहधारी
(c) वैद्युत के साधन
(d) ईलेक्ट्रॉनिक कंडक्टर्स
~~ 68. कॉलम I में दिए गए पैकिंग प्रकार को कॉलम II में दिए गए वस्तुओं के साथ मिलाएँ।
कॉलम I
(i) द्विमानचातुर्भुज पैकिंग में वर्ग पूर्णतः पारिवर्तन
(ii) द्विमानचातुर्भुज पैकिंग में षट्कोणी पूर्णतः पारिवर्तन
(iii) क्रम II
(a) त्रिकोणीय खालियाँ
(b) गोलाकों का पैटर्न हर चौथे सत्र में दोहराया जाता है
(c) सम्प्रेक्षण संख्या 4
(d) गोलाक का पैटर्न आलटारनेट सत्रों में दोहराया जाता है
V. दावा और कारण प्रकार
नोट: निम्नलिखित प्रश्नों में एक दावा का कथन और एक कारण के कथन के बाद सही उत्तर चुनें।
(i) दावा और कारण दोनों सही कथन हैं और कारण दावे के लिए सही स्पष्टीकरण है।
(ii) दावा और कारण दोनों सही कथन हैं लेकिन कारण दावे के लिए सही स्पष्टीकरण नहीं है।
(iii) दावा सही कथन है, लेकिन कारण गलत कथन है।
(iv) दावा गलत कथन है, लेकिन कारण सही कथन है।
~~ 69. दावा : एक साधारित घन इकाई कक्ष में मौजूद एटमों की कुल संख्या एक होती है।
कारण : साधारित घन इकाई कक्ष के कोनों पर एटम होते हैं, जिनमें से प्रत्येक आठ पासी घन इकाई के बीच साझा होता है।
~~ 70. दावा : ग्रेफाइट विद्युत की एक अच्छी प्रवाहक है हालांकि हीरा इंसुलेटर के श्रेणी में आता है।
कारण : ग्रेफाइट मुलायम होता है, वहीं हीरा बहुत कठोर और कच्चा होता है।
~~ 71. दावा : क्यूबिक क्लोज पैकिंग की इकाई कक्ष में विशाल त्रि-चतुष्कोणीय खालियां मौजूद होती हैं, जिनमें से एक शरीर केंद्र मौजूद होता है, उसे समेत चरों भागों में दो के बीच साझा होती हैं।
कारण : शरीर केंद्र के अलावा, इकाई कक्ष के हर छह मुखों के बीच एक-एक त्रि-चतुष्कोणीय खाली मौजूद होती है और प्रत्येक खाली को दो पड़ों के बीच साझा किया जाता है।
~~ 72. दावा : पैकिंग दक्षता $f c c$ संरचना के लिए अधिकतम होती है।
कारण : $f c c$ संरचनाओं में सम्प्रेक्षण संख्या 12 होती है।
~~ 73. दावा : सामरिकों में दीलक्षितता $10^{-6}-10^{4} ओहम^{-1} मीटर^{-1}$ के बीच में निर्मित तंत्र होते हैं।
कारण : पर्शंग किए हुए सामरिक में आधा भरा वर्ग सम्पूर्ण होने के कारण मेंधातु बेंड में आधारित दीलक्षितता होती है।
VI. लंबे उत्तर प्रकार
~~ 74. एक संकेतित चित्र की सहायता से दिखाएं कि एक क्यूबिक क्लोज पैकिंग संरचना में एक इकाई कक्ष में चार त्रि-चतुष्कोणीय खाली होती हैं।
~~ 75. दिखाएं कि एक क्यूबिक क्लोज पैकिंग संरचना में एक इकाई कक्ष में आठ त्रि-भुजीय खालियाँ मौजूद होती हैं।
~~ 76. डोपिंग सेमाईकंडक्टरों की प्रथमिकता कैसे बढ़ाता है?
~~ 77. एक कप्रक्षेप अनुमान में फेरस ऑक्साइड की वास्तविक सूत्र $Fe_{0.93} O_{**1.**00}$ है। इस नमुने में कितना भाग मिश्रण धातु आयन $Fe^{2+}$ आयातन होते हैं? इस नमुने में किस प्रकार की गैर समघात्यात्मिक क्षेत्र होती है?
| 25. (iv) | 26. (i) | 27. (iii) | 28. (iv) | 29. (ii) | 30. (ii) | | 31. (iv) | 32. (i) | 33. (ii) | 34. (i) | 35. (iv) | 36. (i) | 37 . (i)
II. मल्टीपल च्वाइस प्रश्न (प्रकार-२)
38. (iii), (iv) | 39. (iii), (iv) | 40. (iii), (iv) | 41. (i), (ii), (iv) |
---|---|---|---|
42. (i), (ii) | 43. (ii), (iii) | 44. (i), (iv) | 45. (ii), (iii) |
46. (i), (iii) | 47. (i), (iii) | 48. (i), (iv) | 49. (i), (iii) |
50. (i), (ii), (iii) | 51. (i), (iv) | 52. (i), (ii) | 53. (ii), (iv) |
III. शॉर्ट आंसर प्रकार
~~ 54. द्रव्यों और गैसों में एक गुण होता है कि वे प्रवाहित हो सकते हैं, अर्थात तत्व एक दूसरे पर स्वतंत्र रूप से चल सकते हैं। इसलिए, इन्हें तरल पदार्थ के रूप में श्रेणीबद्ध किया गया है।
~~ 55. ठोस पदार्थों में तत्वीय कण (परमाणु, आयन, मोलक्यूल आदि) के बीच की दूरी बहुत कम होती है। उन्हें और नजदीक लाने पर इन कणों के इलेक्ट्रॉन क्लाउड के बीच विपरीताक्रमण शुरू होगा। इसलिए, इन्हें और एक दूसरे के पास नहीं लाया जा सकता है।
~~ 56. क्रिस्टल में पदार्थों के गठन के लंबे मार्ग में बार बार होने वाले पैटर्न के बावजूद, क्रिस्टलीकरण की प्रक्रिया में कुछ अनुपातित (अर्थात दोष) घटनें हो सकती हैं, इसलिए क्रिस्टल आमतौर पर पूर्ण नहीं होते हैं।
~~ 57. सोडियम क्लोराइड में पीले रंग का कारण मेटल अधिशेष दोष है, जिसके कारण अपज्यात इलेक्ट्रॉन ऐनियों की स्थानों को कब्जा कर लेते हैं। इन स्थानों को एफ-केंद्र नाम दिया जाता है। ये इलेक्ट्रॉन उत्तेजना के लिए दृश्यता क्षेत्र से ऊर्जा अवशोषित करते हैं, जिससे क्रिस्टल पीला प्रतीत होता है।
~~ 58. $FeO$ के क्रिस्टल में, कुछ $Fe^{2+}$ आयनों को $Fe^{3+}$ आयनों ने स्थानांतरित किया है। धातुज की तीन $Fe^{2+}$ आयन स्थानांतरित करके दो $Fe^{3+}$ आयनों को बनाया जाता है ताकि पॉजिटिव चार्ज की हानि संघटित हो सके। अंततः, स्टोइकिओमेट्रिक मापन के मुक़ाबले मेटल की कम मात्रा होगी।
~~ 59. $ZnO$ को गरम करने पर यह ऑक्सीजन खो देता है निम्न अभिक्रिया के अनुसार।
$ZnO \xrightarrow{\text { heating }} Zn^{2+}+\frac{1}{2} O_2+2 e^{-}$
$Zn^{2+}$ आयन और इलेक्ट्रॉन इंटरस्टिशियल स्थानों में जाते हैं और $F$-केंद्र बन जाते हैं, जो $ZnO(s)$ को पीला रंग देते हैं।
~~ 60. सेमीकंडक्टर में चालकता बढ़ने पर धारण बंड और उपयोगी हार के बीच की अंतरिक्ष छोटी होती है (चित्र 1.1), इसलिए उष्णता बढ़ाने पर धारण बंड से तत्वीय बंड में इलेक्ट्रॉन छलांग लगा सकते हैं। इस प्रकार वे तत्वीय रूप से अधिष्ठित होते हैं।
~~ 61. जर्मनियम में गैलियम को डोप करने पर, जर्मनियम के जाल के कुछ स्थानों पर गैलियम आतंरित हो जाता है। गैलियम परमाणु के केवल तीन वालेंसी इलेक्ट्रॉन होते हैं। इसलिए, पास के जर्मनियम ऐटम की चौथी वलंसी को संतुष्ट नहीं किया जाता है। स्थान खाली रह जाता है। इस स्थान में इलेक्ट्रॉन की कमी होती है और इसलिए इलेक्ट्रॉन होल या इलेक्ट्रॉन रिक्ति कहलाती है। पड़ोसी परमाणु स्थान में जाता है और तात्कालिक गैप में एलेक्ट्रिसिटी का आवंटन करता है। होल नगेटिव चार्ज वाली प्लेट की ओर चलते हैं और इस प्रकार वे बिजली चालित करते हैं। होल दिखाई देते हैं कि वे नकारात्मक चार्जवाली प्लेट की ओर आ रहे हैं।
कंटेंट :
Fig. 1.2 : सेमीकंडक्टर
~~ 62. $म_२ एन_३$
~~ 63. श्रेणी XII के एनसीआरटी की पाठ्यपुस्तक के पृष्ठ संख्या ३ पर देखें।
IV. मिलान टाइप
64. (i) $\rightarrow$ (c) $\quad$ (ii) $\rightarrow$ (a) $\quad$ (iii) $\rightarrow$ (d) $\quad$ (iv) $\rightarrow$ (b) $\quad$
65. (i) $\rightarrow$ (b), (c) $\quad$ (ii) $\rightarrow$ (c), (d) $\quad$ (iii) $\rightarrow$ (c), (e) $\quad$ (iv) $\rightarrow$ (a), (d) $\quad$
66. (i) $\rightarrow$ (c) (ii) $\rightarrow$ (a) (iii) $\rightarrow$ (b)
67. (i) $\rightarrow$ (d) (ii) $\rightarrow$ (c) (iii) $\rightarrow$ (b) (iv) $\rightarrow$ (a)
68. (i) $\rightarrow$ (c) (ii) $\rightarrow$ (a) (iii) $\rightarrow$ (d) (iv) $\rightarrow$ (b)
V. दावा और कारण टाइप
69. (i)
70. (ii)
71. (iii)
72. (ii)
73. (iii)
VI. लॉन्ग आंसर टाइप
~~ 74. [संकेत : संरचना बनाएं और चर्चा करें]
~~ 75. [संकेत : संरचना बनाएं और चर्चा करें]
~~ 76. श्रेणी XII की एनसीआरटी पाठ्यपुस्तक के पृष्ठ संख्या २६ पर देखें।
~~ 77. नमूने का सूत्र होने दें
$(Fe^{2+}) _x (Fe^{3+}) _{y} O .$
दिए गए यौगिक के सूत्र को देखकर
$ x+y=0.93 \quad …(१) $
तत्वीय और त्रितत्वीय आयनों पर कुल सकारात्मक आयन की दो मात्राओं के साथ बालंस करना चाहिए। इसलिए,
$ \begin{aligned} 2 x+3 y & =2 \quad …(२)\\ \Rightarrow \quad x+\frac{3}{2} y & =1 \quad …(३) \end{aligned} $
जब हम समीकरण (१) को समीकरण (३) से घटाएं, तो हमारे पास होगा
$ \begin{aligned} & \frac{3}{2} y-y=1-0.93 \\ \Rightarrow & \frac{1}{2} y=0.07 \\ \Rightarrow & y=0.14 \end{aligned} $
मान $y$ को समीकरण (१) में डालकर, हम पाते हैं,
$ \begin{aligned} x & +0.14=0.93 \\ \Rightarrow \quad x & =0.93-0.14 \\ x & =0.79 \end{aligned} $
नमूने में मौजूद $Fe^{2+}$ आयनों का भाग $=\frac{0.79}{0.93}=0.81$
नमूने में धातु की कमी की समस्या मौजूद है क्योंकि स्टॉइकियोमेट्रिक संरचना के लिए आयरन से कम मात्रा में है।